| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 前言 | 第16-17页 |
| 1.2 量子点的概述 | 第17-19页 |
| 1.3 量子点的发光机理 | 第19页 |
| 1.4 量子点发光二极管的概述及其发展史 | 第19-26页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 基本知识 | 第28-35页 |
| 2.1 制备工艺的介绍 | 第28-32页 |
| 2.1.1 旋涂法制备薄膜 | 第28-29页 |
| 2.1.2 真空蒸镀薄膜技术 | 第29-30页 |
| 2.1.3 封装技术 | 第30-32页 |
| 2.2 器件的性能参数和测试 | 第32-34页 |
| 2.2.1 光谱 | 第32页 |
| 2.2.2 发光亮度 | 第32-33页 |
| 2.2.3 发光效率 | 第33页 |
| 2.2.4 色度 | 第33页 |
| 2.2.5 器件发光寿命 | 第33-34页 |
| 2.2.6 电流密度和电压 | 第34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 载流子传输层对QLED器件性能的影响 | 第35-45页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验部分 | 第36-38页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第36页 |
| 3.2.2 量子点发光器件的制备 | 第36-37页 |
| 3.2.3 实验仪器和测试仪器 | 第37-38页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第38-44页 |
| 3.3.1 CdSSe/ZnS量子点、纳米ZnO和纳米ZnMgO的表征 | 第38-40页 |
| 3.3.2 纳米ZnO和纳米ZnMgO的薄膜透过率 | 第40-41页 |
| 3.3.3 纳米ZnO和纳米ZnMgO薄膜形貌 | 第41页 |
| 3.3.4 器件性能与分析 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 发光层厚度和退火温度对器件性能的影响 | 第45-52页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 量子点层厚度对器件性能的影响 | 第45-49页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第45-46页 |
| 4.2.2 器件性能与结果分析 | 第46-49页 |
| 4.3 量子点层退火温度对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.3.1 实验部分 | 第49页 |
| 4.3.2 器件性能与结果分析 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 醇处理PEDOT：PSS对量子点器件性能的影响 | 第52-58页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 实验部分 | 第52-53页 |
| 5.3 器件性能与结果分析 | 第53-56页 |
| 5.4 本章总结 | 第56-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 本论文工作总结 | 第58-59页 |
| 6.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第65-66页 |
