基于BN叠层结构高频SAW滤波器的构建及研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 SAW滤波器介绍 | 第12-15页 |
| 1.1.1 SAW器件的结构及原理 | 第12-13页 |
| 1.1.2 压电材料的参数及要求 | 第13-14页 |
| 1.1.3 叉指换能器（IDT）的参数及要求 | 第14-15页 |
| 1.2 多层膜结构SAW器件 | 第15-18页 |
| 1.2.1 多层膜结构SAW器件的结构及原理 | 第16页 |
| 1.2.2 多层膜结构SAW器件的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 基于BN叠层结构的SAW器件 | 第18-20页 |
| 1.3.1 ZnO/BN叠层结构 | 第19页 |
| 1.3.2 AlN/BN叠层结构 | 第19-20页 |
| 1.4 研究内容和研究意义 | 第20-21页 |
| 第二章 SAW器件制作工艺及相关表征技术 | 第21-30页 |
| 2.1 SAW器件的制作工艺流程 | 第21-22页 |
| 2.2 SAW制作工艺及相关设备 | 第22-26页 |
| 2.2.1 衬底的清洗 | 第22页 |
| 2.2.2 压电薄膜的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.3 曝光工艺 | 第23-24页 |
| 2.2.4 叉指电极的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.5 Lift-off工艺 | 第25-26页 |
| 2.3 微观结构及电性能表征 | 第26-30页 |
| 2.3.1 薄膜微观结构表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1.1 薄膜厚度表征 | 第26页 |
| 2.3.1.2 薄膜晶向表征 | 第26-27页 |
| 2.3.1.3 c-BN含量分析表征 | 第27页 |
| 2.3.1.4 薄膜表面形貌表征 | 第27-28页 |
| 2.3.2 电性能表征 | 第28-30页 |
| 2.3.2.1 薄膜压电性表征 | 第28-29页 |
| 2.3.2.2 SAW滤波器测试 | 第29-30页 |
| 第三章 BN薄膜的制备及薄膜性能的研究 | 第30-41页 |
| 3.1 生长功率对BN薄膜性能的影响 | 第30-32页 |
| 3.2 外加偏压对BN薄膜性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 退火温度对BN薄膜性能的影响 | 第33-36页 |
| 3.4 优化后BN薄膜的性能表征 | 第36-40页 |
| 3.4.1 BN薄膜的晶向表征 | 第36页 |
| 3.4.2 BN薄膜的表面形貌表征 | 第36-38页 |
| 3.4.3 BN薄膜的压电性能表征 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于BN薄膜的叠层结构制备及性能研究 | 第41-58页 |
| 4.1 ZnO薄膜的制备工艺及性能研究 | 第41-44页 |
| 4.1.1 ZnO薄膜的制备 | 第41页 |
| 4.1.2 ZnO薄膜的性能表征 | 第41-44页 |
| 4.2 Al N薄膜的制备工艺及性能研究 | 第44-51页 |
| 4.2.1 生长压强对AlN薄膜性能的影响 | 第44-46页 |
| 4.2.2 靶基距对AlN薄膜性能的影响 | 第46-49页 |
| 4.2.2.1 靶基距对AlN薄膜晶向的影响 | 第46-48页 |
| 4.2.2.2 靶基距对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 优化后AlN薄膜的压电特性表征 | 第49-50页 |
| 4.2.4 优化后AlN薄膜的极化翻转特性表征 | 第50-51页 |
| 4.3 ZnO/BN叠层结构的制备及性能研究 | 第51-55页 |
| 4.3.1 ZnO/BN薄膜6层结构压电特性分析 | 第52-53页 |
| 4.3.2 ZnO/BN薄膜4层结构压电特性分析 | 第53-54页 |
| 4.3.3 ZnO/BN薄膜2层结构压电特性分析 | 第54-55页 |
| 4.4 Al N/BN叠层结构的制备及性能研究 | 第55-56页 |
| 4.5 ZnO/BN薄膜的厚度仿真 | 第56-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 SAW滤波器的制备 | 第58-67页 |
| 5.1 叉指结构的仿真 | 第58-61页 |
| 5.2 光刻工艺的优化 | 第61-65页 |
| 5.3 SAW滤波器的性能测试 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
