| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 钙钛矿过渡金属氧化物的性能及其应用 | 第15-28页 |
| 1.2.1 钙钛矿铁电薄膜的微波介电性能 | 第16-21页 |
| 1.2.2 电阻开关效应 | 第21-28页 |
| 1.3 薄膜的制备工艺以及生长行为 | 第28-34页 |
| 1.3.1 薄膜制备工艺 | 第29-30页 |
| 1.3.2 外延薄膜的生长 | 第30-33页 |
| 1.3.3 多晶薄膜的生长 | 第33-34页 |
| 1.4 论文研究的目的和主要内容 | 第34-36页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第34-35页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第35-36页 |
| 第2章 实验 | 第36-40页 |
| 2.1 薄膜材料的制备工艺 | 第36页 |
| 2.2 薄膜材料的微观结构表征 | 第36-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射物相分析 | 第36页 |
| 2.2.2 透射电镜分析 | 第36-38页 |
| 2.3 电学性能测试 | 第38-39页 |
| 2.3.1 介电性能 | 第38页 |
| 2.3.2 电流-电压特性 | 第38-39页 |
| 2.3.3 使用寿命 | 第39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 BTO/STO多层薄膜的界面调制作用研究 | 第40-49页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 BTO/STO多层薄膜的制备条件 | 第41页 |
| 3.3 BTO/STO多层薄膜的微波介电性能 | 第41-43页 |
| 3.4 BTO/STO多层薄膜的微观结构 | 第43-46页 |
| 3.5 BTO/STO多层薄膜的介电性能和微观结构之间的关系 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 (BTO_(0.5)/STO_(0.5))_(16)多层薄膜的生长方式及缺陷形成因探讨 | 第49-72页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 (BTO_(0.5)/STO_(0.5))_(16)多层薄膜的生长方式及应力弛豫机制 | 第49-55页 |
| 4.3 (BTO_(0.5)/STO_(0.5))_(16)多层薄膜内晶粒的择优取向现象 | 第55-61页 |
| 4.3.1 屈服薄膜的应力强度 | 第55-57页 |
| 4.3.2 弹性理论 | 第57-61页 |
| 4.4 (BTO_(0.5)/STO_(0.5))_(16)多层薄膜内不同界面的界面位错的类型 | 第61-65页 |
| 4.4.1 O点阵理论 | 第62-63页 |
| 4.4.2 O点阵应用 | 第63-65页 |
| 4.5 (BTO_(0.5)/STO_(0.5))_(16)多层薄膜内反相畴界(APB)的形成 | 第65-71页 |
| 4.5.1 BTO-Mg O界面处的APB的形成原因 | 第69-70页 |
| 4.5.2 BTO-STO界面处的APB的形成原因 | 第70-71页 |
| 4.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 Ag/BZO/SRO电阻开关现象以及机理 | 第72-90页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 实验方法 | 第72-73页 |
| 5.3 Ag/BZO/SRO中的可转向的二极管效应 | 第73-85页 |
| 5.4 使用寿命 | 第85-89页 |
| 5.4.1 电阻退化及其模型 | 第85-86页 |
| 5.4.2 Ag/BZO/SRO的电阻退化现象及使用寿命 | 第86-89页 |
| 5.5 本章小结 | 第89-90页 |
| 第6章 沉积氧压对BZO薄膜结构以及性能的影响 | 第90-97页 |
| 6.1 引言 | 第90页 |
| 6.2 BZO/SRO/STO异质结构的制备条件 | 第90页 |
| 6.3 沉积氧压对Ag/BZO/SRO的影响 | 第90-94页 |
| 6.4 SRO底电极薄膜的辐照分解现象 | 第94-96页 |
| 6.5 本章小结 | 第96-97页 |
| 结论 | 第97-99页 |
| 本论文的主要创新点和以后工作展望 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第111页 |
