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基于第一原理计算拟合Ag、Si和C原子间相互作用势的研究

摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 研究背景第9-11页
    1.2 原子间相互作用势第11-12页
    1.3 SiC晶体的基本性质及辐照损伤研究现状第12-16页
        1.3.1 SiC晶体的结构及特性第12-14页
        1.3.2 SiC辐照损伤研究进展第14-16页
第二章 理论计算第16-33页
    2.1 密度泛函理论第16-22页
        2.1.1 以电荷密度替代波函数的来由第16-17页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第17-18页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第18-19页
        2.1.4 交换关联能第19-20页
        2.1.5 平面波赝势法第20-22页
        2.1.6 VASP计算软件包第22页
    2.2 分子动力学方法第22-29页
        2.2.1 分子动力学发展历程和基本原理第22-25页
        2.2.2 牛顿方程的数值解法第25-27页
        2.2.3 LAMMPS简介第27-29页
    2.3 POTFIT程序包第29-31页
    2.4 应力-应变关系及弹性常数第31-33页
第三章 Si、C和Ag原子间相互作用势的拟合第33-47页
    3.1 构型选取第34-37页
    3.2 DFT计算第37-39页
    3.3 Tersoff势的拟合第39-47页
第四章 总结与展望第47-48页
参考文献第48-53页
附录第53-62页
    4.1 力匹配软件POTFIT第53页
    4.2 计算体弹性模量、内聚能和晶格常数第53-56页
    4.3 格式转换代码第56-62页
发表文章目录第62-63页
致谢第63页

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