高密度Si纳米线的固—液—固生长及其光学性质
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·Si纳米线的制备 | 第9-11页 |
| ·Si纳米线的发光特性 | 第11-13页 |
| ·Si纳米线的光反射特性 | 第13页 |
| ·Si纳米线的应用 | 第13-15页 |
| ·Si纳米线太阳电池 | 第13-15页 |
| ·Si纳米线传感器 | 第15页 |
| ·Si纳米线二极管、三极管 | 第15页 |
| ·单电子存储器和单电子检测器 | 第15页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 实验方法 | 第17-20页 |
| ·Si纳米线的制备 | 第17-18页 |
| ·结构和光学特性表征 | 第18-20页 |
| 第3章 高密度Si纳米线生长及其结构表征 | 第20-31页 |
| ·Si纳米线的固-液-固生长 | 第20-28页 |
| ·不同催化剂对Si纳米线密度的影响 | 第20-22页 |
| ·不同催化剂对Si纳米线直径的影响 | 第22-24页 |
| ·衬底对Si纳米线生长的影响 | 第24-27页 |
| ·生长时间对Si纳米线的影响 | 第27-28页 |
| ·Si纳米线的结构表征 | 第28-29页 |
| ·Si纳米线固-液-固生长机制 | 第29-31页 |
| 第4章 Si纳米线的PL特性 | 第31-39页 |
| ·不同工艺条件对Si纳米线PL特性的影响 | 第31-37页 |
| ·生长时间的影响 | 第31-32页 |
| ·催化剂的影响 | 第32-34页 |
| ·衬底的影响 | 第34页 |
| ·氧化时间的影响 | 第34-35页 |
| ·冷却气体的影响 | 第35-37页 |
| ·Si纳米线的发光机制 | 第37-39页 |
| 第5章 Si纳米线的光反射 | 第39-48页 |
| ·不同工艺条件对Si纳米线光反射的影响 | 第39-46页 |
| ·不同厚度催化剂对Si纳米线反射率的影响 | 第39-40页 |
| ·不同生长时间对Si纳米线反射率的影响 | 第40-41页 |
| ·不同衬底对Si纳米线反射率的影响 | 第41-43页 |
| ·不同催化剂对Si纳米线反射率的影响 | 第43-45页 |
| ·不同催化剂组合对Si纳米线反射率的影响 | 第45-46页 |
| ·Si纳米线的光反射机制 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第54页 |
