| 致谢 | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 插图清单 | 第13-14页 |
| 表格清单 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| ·电子封装材料 | 第15页 |
| ·封装材料用金属基复合材料 | 第15-19页 |
| ·金属基复合材料的优点 | 第16-17页 |
| ·金属基复合材料的制备工艺 | 第17-18页 |
| ·研究现状 | 第18-19页 |
| ·Cu 基封装材料 | 第19-22页 |
| ·传统 Cu 基封装材料 | 第19-20页 |
| ·新型 Cu 基封装材料 | 第20-22页 |
| ·Cu/Invar 电子封装材料 | 第22-25页 |
| ·研究现状 | 第22-23页 |
| ·存在问题及解决方案 | 第23-25页 |
| ·本研究的内容和意义 | 第25-26页 |
| ·研究内容 | 第25页 |
| ·研究意义 | 第25-26页 |
| 第二章 实验材料及方法 | 第26-32页 |
| ·实验材料 | 第26-27页 |
| ·FeNi 预合金粉 | 第26页 |
| ·Cu 粉及 Invar 粉 | 第26-27页 |
| ·Invar 合金粉的机械合金化合成 | 第27页 |
| ·Cu/Invar 复合材料的粉末冶金制备 | 第27页 |
| ·正交试验方案 | 第27-28页 |
| ·分析测试 | 第28-31页 |
| ·X 射线衍射物相分析 | 第28页 |
| ·显微组织结构分析 | 第28页 |
| ·密度 | 第28-29页 |
| ·力学性能测试 | 第29-30页 |
| ·物理性能测试 | 第30-31页 |
| ·主要仪器设备 | 第31-32页 |
| 第三章 机械合金化合成 Invar 合金纳米晶粉体 | 第32-41页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·FeNi36 合金粉体的结构演变 | 第33-35页 |
| ·FeNi36 合金粉体的形貌 | 第35-37页 |
| ·FeNi36 合金粉体的截面形貌及成分均匀化 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 粉末冶金制备 Cu/Invar 复合材料显微组织结构及其力学性能 | 第41-54页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·正交试验 | 第41-44页 |
| ·粉末冶金工艺参数对 Cu/Invar 复合材料力学性能的影响 | 第44-47页 |
| ·压制压力 | 第44-45页 |
| ·烧结温度 | 第45-46页 |
| ·保温时间 | 第46-47页 |
| ·Cu/Invar 复合材料的物相分析 | 第47-50页 |
| ·Cu/Invar 复合材料组织特征及成分分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 烧结态 Cu/Invar 电子封装材料的物理性能 | 第54-63页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·物理性能的测试结果 | 第54-55页 |
| ·粉末冶金工艺参数对 Cu/Invar 复合材料物理性能的影响 | 第55-58页 |
| ·压制压力 | 第55-56页 |
| ·烧结温度 | 第56-57页 |
| ·保温时间 | 第57-58页 |
| ·Cu 含量对烧结态 Cu/Invar 电子封装材料物理性能的影响 | 第58-59页 |
| ·电阻率 | 第58-59页 |
| ·热膨胀系数 | 第59页 |
| ·Cu/Invar 复合材料导电、导热性能的理论分析 | 第59-62页 |
| ·导热性能的理论分析 | 第59-60页 |
| ·导电性能的理论分析 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·创新之处 | 第64页 |
| ·下阶段工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第70-71页 |
