| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| TABLE OF CONTENTS | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| ·研究背景与意义 | 第12-20页 |
| ·太阳能电池的发展历史 | 第12-15页 |
| ·InGaN太阳能电池的研究意义 | 第15-17页 |
| ·InGaN太阳能电池的研究进展 | 第17-18页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的特点 | 第18-20页 |
| ·InGaN太阳能电池存在的问题及挑战 | 第20-22页 |
| ·高In组分InGaN材料的生长 | 第20-21页 |
| ·极化效应的影响 | 第21-22页 |
| ·p型掺杂及欧姆接触 | 第22页 |
| ·本论文的研究内容与结构安排 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第二章 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究基础 | 第29-49页 |
| ·太阳能电池基本原理 | 第29-36页 |
| ·太阳能电池的基本工作原理 | 第29-31页 |
| ·太阳能电池的光电特性及主要表征参数 | 第31-36页 |
| ·InGaN材料的生长技术及表征方法 | 第36-42页 |
| ·MOCVD生长技术 | 第36-38页 |
| ·InGaN材料的光电特性表征方法 | 第38-42页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱太阳能电池制备工艺的主要设备及测试方法 | 第42-47页 |
| ·太阳能电池制备工艺主要设备 | 第42-45页 |
| ·测试系统及测试方法 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制备及特性分析 | 第49-67页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱太阳能电池材料及光学特性分析 | 第49-54页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制备 | 第54-56页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的性能分析 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第四章 极化效应对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池特性的影响 | 第67-90页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料中的极化效应 | 第67-73页 |
| ·极化产生的原因 | 第67-69页 |
| ·自发极化与压电极化 | 第69-70页 |
| ·极化效应的计算 | 第70-73页 |
| · | 第73-85页 |
| · | 第73页 |
| ·极化效应对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池特性的影响 | 第73-85页 |
| ·本章小结 | 第85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 第五章 结论与展望 | 第90-93页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
