基于石墨烯异质结的光电性能研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
1 绪论 | 第10-26页 |
·引言 | 第10页 |
·石墨烯的结构 | 第10-11页 |
·石墨烯的性质 | 第11-14页 |
·光学性能 | 第11-12页 |
·电学性能 | 第12页 |
·力学性能 | 第12-13页 |
·热学性能 | 第13-14页 |
·石墨烯的制备 | 第14-17页 |
·机械剥离 | 第15页 |
·SiC外延生长 | 第15页 |
·氧化还原法 | 第15-16页 |
·化学气相沉积 | 第16-17页 |
·石墨烯的应用 | 第17-24页 |
·场效应晶体管 | 第17-20页 |
·太阳能电池 | 第20-23页 |
·光电二极管 | 第23-24页 |
·本文研究内容与意义 | 第24-26页 |
·研究内容 | 第24-25页 |
·研究意义 | 第25-26页 |
2 制备方法与表征技术 | 第26-32页 |
·薄膜制备方法 | 第26-27页 |
·引言 | 第26页 |
·磁控溅射 | 第26页 |
·化学气相沉积 | 第26-27页 |
·快速热退火处理 | 第27-28页 |
·光刻与刻蚀 | 第28-29页 |
·表征方法 | 第29-32页 |
·X射线衍射(XRD) | 第29页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
·高分辨透射电子显微镜(HRTEM) | 第30页 |
·拉曼(Raman)光谱 | 第30-31页 |
·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第31-32页 |
3 石墨烯的制备与表征 | 第32-46页 |
·引言 | 第32页 |
·CVD法制备石墨烯的原理 | 第32-33页 |
·石墨烯的制备 | 第33-37页 |
·石墨烯的生长 | 第33-36页 |
·石墨烯的转移 | 第36-37页 |
·石墨烯的表征 | 第37-42页 |
·光学显微镜 | 第37-38页 |
·扫描电子显微镜分析 | 第38-40页 |
·高分辨透射显微分析 | 第40-41页 |
·拉曼光谱分析 | 第41-42页 |
·X射线光电子能谱分析 | 第42页 |
·石墨烯场效应晶体管(GFET) | 第42-45页 |
·背栅GFET的制作 | 第43页 |
·GFET的电学特性 | 第43-45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
4 石墨烯/ZnO异质结电致发光性能研究 | 第46-59页 |
·引言 | 第46页 |
·样品制备 | 第46-48页 |
·ZnO薄膜的制备及其结构表征 | 第48-54页 |
·石墨烯/氧化锌异质结的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第54-55页 |
·石墨烯/ZnO异质结的电致发光 | 第55-56页 |
·机制分析 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-59页 |
5 石墨烯/n-Si异质结光电性能研究 | 第59-67页 |
·引言 | 第59-60页 |
·样品制备 | 第60-61页 |
·光伏性能测试 | 第61-64页 |
·光响应性能 | 第64页 |
·机制分析 | 第64-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
结论 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-74页 |
攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第74-75页 |
致谢 | 第75页 |