| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·不同的电阻转变及存储单元 | 第11-14页 |
| ·不同的电阻转变与测量方式 | 第11-13页 |
| ·RRAM 的存储单元 | 第13-14页 |
| ·RRAM 材料与研究进展 | 第14-19页 |
| ·过渡金属单元氧化物 | 第14-17页 |
| ·钙钛矿金属氧化物 | 第17-18页 |
| ·有机化合物 | 第18-19页 |
| ·电阻转换机制 | 第19-22页 |
| ·导电细丝理论 | 第19-21页 |
| ·肖特基势垒理论 | 第21页 |
| ·缺陷能级的电荷俘获和释放理论 | 第21-22页 |
| ·导电畴隧穿模型 | 第22页 |
| ·漏电流机制 | 第22-24页 |
| ·界面限制漏电流机制 | 第22-23页 |
| ·体限制漏电流机制 | 第23-24页 |
| ·本论文的选题及思路 | 第24-26页 |
| 第2章 溶胶凝胶法制备SrTiO_3 薄膜 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·Sol-gel 法基本原理 | 第27页 |
| ·Sol-gel 法制膜所需设备与实验材料 | 第27-30页 |
| ·所需实验设备 | 第27-28页 |
| ·实验材料 | 第28-30页 |
| ·SrTiO_3 前驱液的配置 | 第30-32页 |
| ·前驱体溶液的化学配比计算方法 | 第30页 |
| ·SrTiO_3 前驱液配置流程 | 第30-32页 |
| ·薄膜制备的工艺流程 | 第32-34页 |
| 第3章 SrTiO_3 薄膜的性能表征及阻变性质研究 | 第34-43页 |
| ·SrTiO_3 薄膜的X 射线衍射分析 | 第34-35页 |
| ·SrTiO_3 薄膜AFM 和SEM 形貌分析 | 第35-36页 |
| ·SrTiO_3 薄膜电学性能测试 | 第36-42页 |
| ·阻变存储器结构的选择 | 第36-37页 |
| ·I-V 电学性质测量 | 第37-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第4章 掺杂的SrTiO_3 薄膜的阻变性质研究 | 第43-52页 |
| ·掺La 的SrTiO_3 的阻变性质研究 | 第43-47页 |
| ·掺杂La-SrTiO_3 前驱体溶液配置及其XRD 图 | 第43-44页 |
| ·La-SrTiO_3 的电学性质的测量 | 第44-45页 |
| ·La-SrTiO_3 的阻变性质的机制分析 | 第45-46页 |
| ·Unipolar→Bipolar 机制分析 | 第46-47页 |
| ·掺V 的SrTiO_3 的阻变性质研究 | 第47-50页 |
| ·掺杂V-SrTiO_3 前驱体溶液配置及其XRD 图 | 第47-48页 |
| ·V-SrTiO_3 的电学性质的测量 | 第48-49页 |
| ·V-SrTiO_3 的阻变性质的机制分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第5章 工作总结与展望 | 第52-54页 |
| ·论文总结 | 第52页 |
| ·工作展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间发表论文目录 | 第60页 |
