| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 致谢 | 第13-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-30页 |
| ·引言 | 第22-24页 |
| ·一维ZnS纳米结构的合成方法 | 第24-28页 |
| ·一维ZnS纳米结构的应用研究现状 | 第28页 |
| ·本文主要研究内容及选题意义 | 第28-30页 |
| 第二章 掺杂ZnS纳米带的可控合成及表征 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·n型掺杂ZnS纳米带的可控合成及表征 | 第31-35页 |
| ·n型Cl掺杂ZnS纳米带的合成装置及方法 | 第31-32页 |
| ·可控Cl掺杂ZnS纳米带的表征 | 第32-34页 |
| ·Ga掺杂ZnS纳米带的表征 | 第34-35页 |
| ·p型掺杂ZnS纳米带的合成及表征 | 第35-38页 |
| ·Ag掺杂ZnS纳米带的合成及表征 | 第36-37页 |
| ·Cu掺杂ZnS纳米带的合成及表征 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 掺杂ZnS纳米带场效应管的制备及其电输运特性的研究 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·纳米FETs制备工艺及方法 | 第40-43页 |
| ·n型掺杂ZnS纳米带底栅场效应管的制备及其电输运特性的研究 | 第43-47页 |
| ·单根ZnS：Cl NRs back-gate FETs的制备 | 第43-44页 |
| ·单根可控掺杂ZnS：Cl NRs back-gate FETs的性能研究 | 第44-46页 |
| ·单根ZnS：Ga NRs back-gate FETs的性能研究 | 第46-47页 |
| ·p型掺杂ZnS NRs FETs的制备及性能研究 | 第47-52页 |
| ·单根ZnS：Cu NR back-gate FETs的性能研究 | 第47-48页 |
| ·单根ZnS：Ag NR MESFETs的制备及性能研究 | 第48-50页 |
| ·柔性ZnS：Ag NR MESFETs的性能研究 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 ZnS纳米带欧姆接触的研究 | 第53-64页 |
| ·欧姆接触的概述 | 第53-55页 |
| ·欧姆接触的基本理论 | 第53-54页 |
| ·宽禁带半导体欧姆接触制备方法概述 | 第54-55页 |
| ·n型掺杂ZnS纳米带欧姆接触电极的制备方法 | 第55-58页 |
| ·p型掺杂ZnS纳米带欧姆接触电极的制备方法及机理分析 | 第58-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 掺杂ZnS纳米带光电探测器的应用研究 | 第64-91页 |
| ·紫外探测器的研究现状 | 第64-65页 |
| ·n型掺杂ZnS纳米带紫外探测器的研究 | 第65-72页 |
| ·可控Cl掺杂ZnS NRs高增益紫外探测器性能研究 | 第65-68页 |
| ·ZnS：Ga NRs高增益弱紫外光光电导型探测器的研究 | 第68-72页 |
| ·p-ZnS NR-n-Si异质结高速光电探测器的研究 | 第72-78页 |
| ·p-ZnS NR-n-Si异质结光电探测器的制备 | 第73-74页 |
| ·p-ZnS NR-n-Si异质结光电探测器的性能研究 | 第74-78页 |
| ·ITO/p-ZnS NRs SDs弱紫外光探测器的研究 | 第78-86页 |
| ·ITO/p-ZnS NRs SDs内建电场模拟分析 | 第86-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 基于p-ZnS NR非易失性存储器的研究 | 第91-107页 |
| ·纳米存储器的研究进展 | 第91-93页 |
| ·Al/p-ZnS NR SDs储存器的研究 | 第93-101页 |
| ·Al/p-ZnS NR SDs储存器的制备 | 第93-94页 |
| ·Al/p-ZnS NR SDs储存器性能研究 | 第94-101页 |
| ·p-ZnS NR/n-Si异质结存储器的制备与性能研究 | 第101-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 第七章 结论与展望 | 第107-111页 |
| ·本文主要研究内容与结论 | 第107-109页 |
| ·展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-128页 |
| 攻读博士学位期间参与项目和发表的论文 | 第128-130页 |
