| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·太阳能电池的工作原理与性能参数 | 第15-17页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第15-16页 |
| ·太阳能电池的性能表征 | 第16-17页 |
| ·开路电压 V_(OC) | 第16页 |
| ·短路电流 I-(SC) | 第16-17页 |
| ·填充因子 FF | 第17页 |
| ·转换效率 | 第17页 |
| ·太阳电池的分类 | 第17-19页 |
| ·硅系太阳能电池 | 第17-18页 |
| ·单晶硅太阳能电池 | 第17-18页 |
| ·多晶硅太阳能电池 | 第18页 |
| ·非晶硅太阳能电池 | 第18页 |
| ·化合物太阳能电池 | 第18-19页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池 | 第18页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物太阳能电池 | 第18-19页 |
| ·Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太阳能电池 | 第19页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4太阳能电池材料 | 第19-22页 |
| ·CZTS 结构 | 第19-20页 |
| ·CZTS 的研究进展 | 第20-22页 |
| ·本论文的研究背景、意义及主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 材料的制备技术及表征手段 | 第23-29页 |
| ·材料的制备方法 | 第23-25页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第23页 |
| ·磁控溅射 | 第23-24页 |
| ·电子束蒸发法 | 第24页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第24-25页 |
| ·喷雾热解法 | 第25页 |
| ·电化学沉积 | 第25页 |
| ·材料表征测试 | 第25-29页 |
| ·X 射线能量色散谱 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射 | 第26页 |
| ·原子力显微镜 | 第26-27页 |
| ·紫外-可见-近红外分光光度计 | 第27页 |
| ·四探针法 | 第27-28页 |
| ·冷热探针法 | 第28页 |
| ·I-V 特性测试 | 第28-29页 |
| 第三章 脉冲激光沉积法制备 Cu_2ZnSnS_4薄膜 | 第29-38页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第29-30页 |
| ·镀膜过程中影响薄膜生长的主要因素 | 第30-31页 |
| ·脉冲激光沉积实验装置 | 第31页 |
| ·靶材制备与基片清洗 | 第31-32页 |
| ·靶材的制备 | 第31-32页 |
| ·基片清洗 | 第32页 |
| ·CZTS 薄膜样品的制备及表征 | 第32-37页 |
| ·CZTS 薄膜样品的化学计量比分析 | 第32-33页 |
| ·CZTS 薄膜样品的 XRD 衍射花样 | 第33-34页 |
| ·CZTS 薄膜样品的表面形貌 | 第34-35页 |
| ·CZTS 薄膜样品的光学性质 | 第35-37页 |
| ·CZTS 薄膜样品的导电类型及电阻率的测试 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 磁控溅射法制备 Cu_2ZnSnS_4薄膜 | 第38-48页 |
| ·磁控溅射原理 | 第38-39页 |
| ·镀膜过程中影响薄膜生长的主要因素 | 第39页 |
| ·磁控溅射实验装置 | 第39-40页 |
| ·靶材制备与基片清洗 | 第40-42页 |
| ·CZTS 靶材的制备与表征 | 第40-42页 |
| ·CZTS 靶材的制备 | 第40-41页 |
| ·CZTS 靶材的表征 | 第41-42页 |
| ·基片清洗 | 第42页 |
| ·磁控溅射制备 CZTS 薄膜样品及表征 | 第42-47页 |
| ·CZTS 薄膜样品组分分析 | 第42-43页 |
| ·CZTS 薄膜样品 XRD 测试分析 | 第43-45页 |
| ·CZTS 薄膜样品的表面形貌分析 | 第45-46页 |
| ·CZTS 薄膜样品的光学性质 | 第46-47页 |
| ·CZTS 薄膜样品的导电类型及电阻率测试 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 Cu_2ZnSnS_4/Si 异质结器件 | 第48-55页 |
| ·p-CZTS/n-Si 异质结器件结构 | 第48页 |
| ·p-CZTS/n-Si 异质结器件制备 | 第48页 |
| ·金属与半导体的接触及电极的制备 | 第48-49页 |
| ·p-CZTS/n-Si 异质结的 XRD 测试分析 | 第49-50页 |
| ·异质结的表面形貌分析 | 第50页 |
| ·器件的 I-V 特性 | 第50-53页 |
| ·金属电极与半导体的接触 | 第50-51页 |
| ·器件的 I-V 特性 | 第51-53页 |
| ·p-CZTS/n-Si 异质结器件的光电转换效率 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 Cu_2ZnSnS_4/ZnS 异质结器件 | 第55-58页 |
| ·p-CZTS/n-ZnS 异质结器件结构 | 第55页 |
| ·异质结器件制备 | 第55页 |
| ·ZnS 薄膜样品的表征分析 | 第55-57页 |
| ·ZnS 薄膜样品的 XRD 测试分析 | 第55-56页 |
| ·ZnS 薄膜样品的表面形貌分析 | 第56-57页 |
| ·异质结器件的 I—V 特性 | 第57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第七章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的文章 | 第65-67页 |
