摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
目录 | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第7-17页 |
·引言 | 第7-8页 |
·太阳能的衡量及表述 | 第8-10页 |
·太阳常数 | 第8-9页 |
·大气质量 | 第9页 |
·太阳光谱 | 第9-10页 |
·太阳能电池的分类 | 第10-12页 |
·无机太阳能电池 | 第10-11页 |
·有机太阳能电池 | 第11-12页 |
·有机太阳能电池的发展历史 | 第12页 |
·目前典型有机太阳能电池结构的性能 | 第12-14页 |
·反转结构有机太阳能电池 | 第14-17页 |
第二章 有机太阳能电池的工作原理 | 第17-33页 |
·有机半导体材料的物理性质 | 第17-18页 |
·能带结构 | 第17页 |
·载流子传输机理 | 第17-18页 |
·有机太阳能电池光伏原理 | 第18-20页 |
·激子的产生过程 | 第19页 |
·激子的扩散和自由电子、自由空穴的产生 | 第19页 |
·光生载流子的运动 | 第19-20页 |
·有机太阳能电池的重要参数及其推导 | 第20-24页 |
·光电流 | 第20-21页 |
·开路电压的推导 | 第21-24页 |
·短路电流的导出 | 第24页 |
·有机太阳能电池的等效模型 | 第24-26页 |
·典型的有机太阳能电池器件结构 | 第26-28页 |
·单质结型有机太阳能电池结构 | 第26页 |
·异质结型有机太阳能电池 | 第26-27页 |
·共混结构的有机太阳能电池 | 第27-28页 |
·有机光伏材料的种类 | 第28-30页 |
·有机小分子材料 | 第28-29页 |
·有机大分子聚合物材料 | 第29-30页 |
·电极材料 | 第30-31页 |
·GaN 材料的性质 | 第31-33页 |
第三章 器件的制备 | 第33-57页 |
·概述 | 第33-34页 |
·加工设备简介 | 第34-42页 |
·GaN MOCVD | 第34-35页 |
·基于 ALD 方法的 AL2O329 | 第35-38页 |
·GaN ICP 刻蚀 | 第38-40页 |
·电子束蒸发设备 | 第40-42页 |
·器件加工 | 第42-57页 |
·整体流程 | 第42-43页 |
·MOCVD GaN | 第43页 |
·ALD Al2O337 | 第43页 |
·Ni 纳米岛的制作 | 第43-47页 |
·GaN 纳米柱刻蚀 | 第47-54页 |
·有机材料层的旋涂 | 第54-55页 |
·制作电极 | 第55页 |
·退火 | 第55-57页 |
第四章 电池的性能分析 | 第57-67页 |
·GaN 纳米柱高度对有机太阳能电池光伏性能的影响 | 第57-58页 |
·测量结果 | 第57-58页 |
·机理分析 | 第58页 |
·P3HT:PCBM 旋涂厚度对有机太阳能电池光伏性能的影响 | 第58-62页 |
·测量结果 | 第58-60页 |
·机理分析 | 第60-62页 |
·退火温度对有机太阳能电池光伏特性的影响 | 第62-67页 |
·测量结果 | 第62-63页 |
·机理分析 | 第63-67页 |
第五章 结论 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-77页 |
研究成果 | 第77-78页 |