| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-15页 |
| 致谢 | 第15-22页 |
| 第1章 绪论 | 第22-34页 |
| ·一维纳米材料 | 第22-24页 |
| ·一维纳米材料的起源与发展 | 第22-23页 |
| ·一维纳米半导体材料的特性与应用 | 第23-24页 |
| ·一维纳米材料的合成方法 | 第24-28页 |
| ·气相法 | 第24-26页 |
| ·液相法 | 第26-27页 |
| ·模板法 | 第27-28页 |
| ·硫属化合物半导体材料的特性 | 第28-29页 |
| ·一维硫属化合物半导体材料的合成与纳米器件应用 | 第29-32页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第32-34页 |
| 第2章 本征和氮掺杂 ZnTe 纳米带的合成及其纳米场效应管 | 第34-55页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·实验方法 | 第35-36页 |
| ·实验材料 | 第35-36页 |
| ·实验设备 | 第36页 |
| ·ZnTe 纳米带的合成 | 第36-38页 |
| ·ZnTe 纳米带性能表征 | 第38-41页 |
| ·本征 ZnTe 纳米器件制备与电学性能测量 | 第41-44页 |
| ·纳米器件制备 | 第41页 |
| ·电学性能测量 | 第41-44页 |
| ·氮掺杂 ZnTe 纳米带的合成与电学性能研究 | 第44-50页 |
| ·低浓度氮掺杂 ZnTe 纳米带 | 第47页 |
| ·高浓度氮掺杂 ZnTe 纳米带 | 第47-50页 |
| ·氮掺杂 ZnTe 纳米带顶栅结构场效应管与电学性能研究 | 第50-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第3章 孪晶 p 型 ZnTe 纳米线及负微分电阻特性研究 | 第55-68页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验方法 | 第56-57页 |
| ·实验材料 | 第56页 |
| ·实验设备 | 第56-57页 |
| ·孪晶 ZnTe 纳米线的合成与表征 | 第57页 |
| ·孪晶 ZnTe 纳米线器件制备 | 第57页 |
| ·孪晶 ZnTe 纳米线的形貌、结构与生长机理研究 | 第57-63页 |
| ·孪晶 ZnTe 纳米线的电学性能 | 第63-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第4章 ZnCdTe 纳米带与 X 射线纳米探测器 | 第68-86页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·实验部分 | 第69-70页 |
| ·实验材料 | 第69-70页 |
| ·实验设备 | 第70页 |
| ·Zn_(0.75)Cd_(0.25)Te 纳米带的合成 | 第70-72页 |
| ·Zn_(0.75)Cd_(0.25)Te 纳米带性能表征 | 第72-75页 |
| ·Zn_(0.75)Cd_(0.25)TeX 射线纳米探测器性能 | 第75-79页 |
| ·Zn_(0.75)Cd_(0.25)Te 纳米带场效应管与电学性能研究 | 第79-80页 |
| ·Zn_(0.3)Cd_(0.7)Te 纳米带的合成与电学性能、X 射线响应性能研究 | 第80-85页 |
| ·小结 | 第85-86页 |
| 第5章 p 型 ZnSe 纳米线的合成及光电性能研究 | 第86-103页 |
| ·引言 | 第86-88页 |
| ·实验部分 | 第88-91页 |
| ·实验材料 | 第88-89页 |
| ·实验设备 | 第89页 |
| ·实验方法 | 第89-91页 |
| ·ZnSe 纳米线形貌与结构 | 第91-93页 |
| ·ZnSe 纳米线的荧光光谱性能 | 第93-94页 |
| ·ZnSe 纳米线的电学性能研究 | 第94-97页 |
| ·ZnSe 纳米线的光电性能研究 | 第97-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 第6章 p 型 Zn_(0.7)Cd_(0.3)Se 纳米线的合成与电学性能研究 | 第103-112页 |
| ·引言 | 第103-104页 |
| ·实验部分 | 第104-107页 |
| ·实验材料 | 第104页 |
| ·实验设备 | 第104-105页 |
| ·实验方法 | 第105-107页 |
| ·Zn_(0.7)Cd_(0.3)Se 纳米线形貌与结构 | 第107-109页 |
| ·Zn_(0.7)Cd_(0.3)Se 纳米线的电学性能研究 | 第109-111页 |
| ·小结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-127页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文与专利 | 第127-129页 |
| 攻读博士学位期间参与的科研项目 | 第129-130页 |
| 参加国际、国内学术会议 | 第130-131页 |
