| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·高 k 介质的发展简介和 BeO 作为新的高 k 介质或界面钝化层的实验进展 | 第8-11页 |
| ·缩放比例的硅基金属-氧化物-半导体（MOSFETs） | 第8-10页 |
| ·BeO 作为新的高 k 介质或界面钝化层的实验进展 | 第10-11页 |
| ·透明导电材料和 In_2O_3的 p 型掺杂研究 | 第11-12页 |
| ·透明导电材料 | 第11-12页 |
| ·In_2O_3的 p 型掺杂研究 | 第12页 |
| ·本章小结 | 第12-14页 |
| 第2章 密度泛函理论 | 第14-28页 |
| ·多体问题 | 第14-15页 |
| ·早期解多体问题的尝试 | 第15-16页 |
| ·自由电子模型 | 第15-16页 |
| ·Hartree 和 Hartree-Fock 方法 | 第16页 |
| ·密度泛函理论的基础 | 第16-20页 |
| ·Thomas-Fermi-Dirac 近似：一个泛函的例子 | 第16-18页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 1 | 第18-19页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 2 | 第19-20页 |
| ·Kohn-Sham 拟设 | 第20-22页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第20-22页 |
| ·交换与关联泛函 | 第22-26页 |
| ·交换-关联空穴 | 第22-24页 |
| ·交换-关联势 Vxc | 第24-25页 |
| ·交换和关联的泛函 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 BeO 本征点缺陷的第一性原理研究 | 第28-40页 |
| ·前言 | 第28页 |
| ·计算方法 | 第28-29页 |
| ·BeO 的体性质 | 第29-31页 |
| ·形成能和缺陷浓度 | 第31-34页 |
| ·缺陷转变能级与固定电荷 | 第34-36页 |
| ·氧空位 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 In_2O_3的 Mg 受主掺杂：第一性原理研究 | 第40-50页 |
| ·前言 | 第40-41页 |
| ·计算方法 | 第41页 |
| ·In_2O_3的体性质 | 第41-43页 |
| ·形成能 | 第43-47页 |
| ·转变能级 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
