| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-42页 |
| ·纳米科技与纳米材料 | 第11-15页 |
| ·氮化铝(AlN)一维纳米材料的生长及场发射性能 | 第15-24页 |
| ·氮化铝(AlN)的晶体结构及制备方法 | 第15-17页 |
| ·化学气相沉积法介绍 | 第17-20页 |
| ·一维纳米材料的气-液-固(VLS)生长机理 | 第20-22页 |
| ·氮化铝一维纳米材料的场发射性能研究现状 | 第22-24页 |
| ·氧化铟(In_2O_3)光催化分解水性能的研究 | 第24-34页 |
| ·氧化铟(In_2O_3)的晶体结构及制备方法 | 第24-26页 |
| ·半导体材料的光催化分解水原理 | 第26-31页 |
| ·氧化铟光催化性能的研究现状 | 第31-32页 |
| ·半导体纳米颗粒不同晶面对其光催化性能的影响研究 | 第32-34页 |
| ·本论文的出发点及主要内容 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-42页 |
| 第二章 AlN一维多级纳米结构的生长控制及场发射性能 | 第42-59页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·AlN一维多级纳米材料的制备 | 第43-45页 |
| ·实验装置改进 | 第43-44页 |
| ·制备方法及反应原理 | 第44-45页 |
| ·AlN一维多级纳米材料的表征 | 第45-48页 |
| ·表征方法 | 第45-46页 |
| ·形貌表征 | 第46页 |
| ·结构表征 | 第46-48页 |
| ·实验条件控制及生长机制研究 | 第48-52页 |
| ·实验条件控制 | 第48-50页 |
| ·生长机制研究 | 第50-52页 |
| ·AlN一维多级结构的场发射性能 | 第52-55页 |
| ·场发射样品制备 | 第52-53页 |
| ·场发射性能测量 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第三章 In_2O_3纳米颗粒的生长控制及其光催化分解水制氧性能 | 第59-86页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·结构分析与理论预测 | 第59-67页 |
| ·氧化铟纳米颗粒的制备及生长控制原理 | 第67-70页 |
| ·氧化铟纳米颗粒样品的制备方法 | 第67-68页 |
| ·氧化铟纳米颗粒样品的生长过程及控制原理 | 第68-70页 |
| ·In_2O_3纳米颗粒样品的表征 | 第70-75页 |
| ·表征方法 | 第70页 |
| ·形貌表征 | 第70-71页 |
| ·沉积厚度表征 | 第71-72页 |
| ·结构表征 | 第72-74页 |
| ·光学性质表征 | 第74-75页 |
| ·In_2O_3颗粒样品的光催化制氧 | 第75-81页 |
| ·光电化学测试样品制备 | 第75页 |
| ·光电化学反应装置 | 第75-76页 |
| ·In_2O_3颗粒的光催化制氧性能测试 | 第76-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第四章 结论和展望 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第90-91页 |