摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-16页 |
第一章 绪论 | 第16-30页 |
·纳米多层膜概述 | 第16-22页 |
·纳米多层膜概念 | 第16-17页 |
·纳米多层膜性质 | 第17-22页 |
·纳米多层膜研究的意义与发展 | 第22-26页 |
·纳米多层膜的制备方法 | 第26-28页 |
·本论文的研究目的、意义和内容 | 第28-29页 |
·课题来源 | 第29-30页 |
第二章 实验原理与方法 | 第30-39页 |
·电极制备 | 第30页 |
·纳米多层膜的电化学制备方法 | 第30-33页 |
·电化学测试分析 | 第33页 |
·反射电子显微术法(REM) | 第33页 |
·电化学隧道扫描显微镜观察(ECSTM) | 第33-34页 |
·X射线荧光光谱分析(XRF) | 第34页 |
·俄歇电子能谱分析(AES) | 第34页 |
·扫描电镜分析(SEM) | 第34-35页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第35页 |
·物性测量系统(PPMS)测试分析 | 第35-37页 |
·电化学石英晶体微天平测试(EQCM) | 第37-39页 |
第三章 Co、Cu在Pt单晶面上电结晶成膜过程研究 | 第39-52页 |
·引言 | 第39页 |
·Co、Cu电结晶的择优取向轴与过电位关系研究 | 第39-40页 |
·Co在Pt单晶面上的电结晶成膜过程研究 | 第40-46页 |
·Co电结晶电位的确定 | 第40-41页 |
·现场ECSTM法研究Co的电结晶过程 | 第41-43页 |
·REM法研究Co的电结晶过程 | 第43-46页 |
·Cu在Pt单晶面上的电结晶成膜过程研究 | 第46-51页 |
·极化曲线研究Cu的电结晶过程 | 第46-47页 |
·现场ECSTM法研究Cu的电结晶过程 | 第47-49页 |
·REM法研究Cu的电结晶过程 | 第49-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第四章 Co/Pt多层膜的制备及磁性研究 | 第52-80页 |
·引言 | 第52页 |
·双槽法制备Co/Pt多层膜的研究 | 第52-71页 |
·双槽法制备Co/Pt多层膜的电结晶工艺 | 第52-63页 |
·基底选择对Co/Pt多层膜质量影响 | 第52-53页 |
·单晶硅电极的不同表面处理方法对Co/Pt多层膜的影响 | 第53-56页 |
·Co/Pt 多层膜沉积电位的确定 | 第56-57页 |
·添加剂对Pt电化学行为的影响研究 | 第57-62页 |
·Co/Pt多层膜制备参数的确定 | 第62-63页 |
·Co/Pt多层膜的形貌与结构分析 | 第63-65页 |
·Co/Pt多层膜的形貌分析 | 第63页 |
·Co/Pt多层膜的结构分析 | 第63-65页 |
·Co/Pt多层膜的磁性能研究 | 第65-71页 |
·Co层厚度与Co/Pt多层膜矫顽力的关系 | 第67-68页 |
·Co层厚度与Co/Pt多层膜有效垂直磁各向异性能的关系 | 第68-70页 |
·Co/Pt多层膜的垂直磁各向异性与矫顽力的关系 | 第70-71页 |
·流动式单槽法制备Co/Pt多层膜的研究 | 第71-77页 |
·流动式单槽法制备Co/Pt多层膜的电结晶工艺 | 第71-72页 |
·Co/Pt多层膜沉积电位的确定 | 第71-72页 |
·Co/Pt多层膜制备参数的确定 | 第72页 |
·Co/Pt 多层膜的结构分析 | 第72-75页 |
·Co/Pt多层膜的磁性能研究 | 第75-77页 |
·Co层厚度对Co/Pt多层膜矫顽力的影响 | 第75-76页 |
·Co层厚度对Co/Pt多层膜饱和磁化强度的影响 | 第76-77页 |
·双槽法与单槽法的比较 | 第77-78页 |
·本章小结 | 第78-80页 |
第五章 Co/Pd多层膜的制备及磁性研究 | 第80-98页 |
·引言 | 第80页 |
·双槽法制备Co/Pd多层膜的研究 | 第80-90页 |
·双槽法制备Co/Pd多层膜的电结晶工艺 | 第80-84页 |
·Co/Pd多层膜沉积电位的确定 | 第80-81页 |
·Co膜和Pd膜的质量随沉积时间的变化关系 | 第81-82页 |
·不同电位下Co和Pd电结晶初期成核过程研究 | 第82-84页 |
·Co/Pd多层膜制备参数的确定 | 第84页 |
·Co/Pd多层膜的形貌与结构分析 | 第84-86页 |
·Co/Pd多层膜的形貌分析 | 第84-85页 |
·Co/Pd多层膜的结构分析 | 第85-86页 |
·Co/Pd多层膜的磁性能研究 | 第86-90页 |
·Co层厚度对Co/Pd多层膜磁性能的影响 | 第86-88页 |
·周期数 N 对 Co/Pd 多层膜磁性能的影响 | 第88-90页 |
·双脉冲法制备Co/Pd多层膜的研究 | 第90-97页 |
·双脉冲法制备Co/Pd多层膜的电结晶工艺 | 第90-93页 |
·Co/Pd多层膜沉积电位的确定 | 第90-92页 |
·Co/Pd多层膜制备过程中的电流时间曲线 | 第92-93页 |
·Co/Pd多层膜制备参数的确定 | 第93页 |
·Co/Pd多层膜的结构分析 | 第93-94页 |
·Co/Pd多层膜的磁性能研究 | 第94-97页 |
·Co层厚度对Co/Pd多层膜磁性能的影响 | 第94-95页 |
·底衬层对Co/Pd多层膜磁性能的影响 | 第95-97页 |
·本章小结 | 第97-98页 |
第六章 Co/Cu多层膜的制备及磁性研究 | 第98-124页 |
·引言 | 第98页 |
·双槽法制备Co/Cu多层膜的研究 | 第98-118页 |
·双槽法制备Co/Cu多层膜的电结晶工艺 | 第98-107页 |
·Co/Cu多层膜沉积电位的确定 | 第98-99页 |
·添加剂对制备Co/Cu多层膜的影响 | 第99-106页 |
·Co/Cu多层膜制备参数的确定 | 第106-107页 |
·Co/Cu纳米多层膜的形貌与结构分析 | 第107-110页 |
·Co/Cu多层膜的断面形貌分析 | 第107页 |
·Co/Cu多层膜的结构分析 | 第107-110页 |
·Co/Cu多层膜的磁滞回线的研究 | 第110-111页 |
·Co/Cu多层膜的结构对GMR 效应的影响 | 第111-114页 |
·周期数N对Co/Cu多层膜GMR值的影响 | 第111-112页 |
·Co层厚度对Co/Cu多层膜GMR值的影响 | 第112-113页 |
·Cu层厚度对Co/Cu多层膜GMR值的影响 | 第113-114页 |
·Co/Cu多层膜的GMR效应的理论 | 第114-118页 |
·自旋相关的散射和双电流理论 | 第114-116页 |
·GMR现象的理论解释 | 第116-118页 |
·流动式单槽法制备 Co/Cu 纳米多层膜的研究 | 第118-123页 |
·流动式单槽法制备Co/Cu多层膜的电结晶工艺 | 第118-121页 |
·Co/Cu多层膜沉积电位的确定 | 第118-119页 |
·流动式单槽法制备的 Co/Cu 多层膜制备过程中的电流时间曲线 | 第119-120页 |
·流动式单槽法制备的 Co/Cu 多层膜的元素含量分析 | 第120页 |
·流动式单槽法制备的 Co/Cu 多层膜制备参数的确定 | 第120-121页 |
·流动式单槽法制备的 Co/Cu 多层膜的结构分析 | 第121-122页 |
·流动式单槽法制备的 Co/Cu 多层膜的磁性能研究 | 第122-123页 |
·本章小结 | 第123-124页 |
第七章 结论、论文的创新及展望 | 第124-129页 |
·结论 | 第124-126页 |
·论文的主要创新工作 | 第126-127页 |
·展望 | 第127-129页 |
参考文献 | 第129-142页 |
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第142-145页 |
作者在攻读博士学位期间承担和参加的科研项目 | 第145-146页 |
致谢 | 第146页 |