| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·He和H离子注入单晶Si研究进展 | 第11-14页 |
| ·H 离子注入单晶Si 材料研究进展 | 第11-12页 |
| ·He 离子注入单晶Si 材料研究进展 | 第12-14页 |
| ·He 和H 离子联合注入单晶Si 材料研究进展 | 第14页 |
| ·SOI 结构和Smart-cut 技术及其应用 | 第14-17页 |
| ·SOI 结构在微电子技术中的应用 | 第14-15页 |
| ·SOI 器件的主要制作方法 | 第15-16页 |
| ·Smart-cut 技术的发展和应用 | 第16-17页 |
| ·绝缘层在集成电路材料中研究进展 | 第17-21页 |
| ·氧化硅薄膜(SiO_2) | 第18-19页 |
| ·氧化铝薄膜(Al_2O_3) | 第19页 |
| ·氮化硅薄膜(Si_3N_4) | 第19-21页 |
| ·Si 基纳米晶发光的研究简介 | 第21-25页 |
| ·Si 基纳米晶的制备方法 | 第21-22页 |
| ·Si 基纳米晶的结构简介 | 第22-23页 |
| ·Si 基纳米晶的发光性质 | 第23-25页 |
| ·本论文的选题意义和主要工作 | 第25-26页 |
| 第二章 实验过程及样品制备 | 第26-37页 |
| ·Si 单晶以及表面绝缘层的制备 | 第26页 |
| ·样品的离子注入及退火过程 | 第26-32页 |
| ·离子注入理论 | 第26-27页 |
| ·离子注入机 | 第27-28页 |
| ·TRIM 或SRIM 程序简介 | 第28页 |
| ·本实验离子注入条件 | 第28-31页 |
| ·退火过程 | 第31-32页 |
| ·测试手段及其基本原理简述 | 第32-37页 |
| ·光学显微镜(OM) | 第33页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
| ·荧光光谱仪(PL) | 第35-37页 |
| 第三章 He和/或H离子注入Si_3N_4/Si损伤结果和分析 | 第37-52页 |
| ·扫描电子显微镜的测试结果及分析 | 第37-38页 |
| ·光学显微镜观测结果及分析 | 第38-40页 |
| ·原子力显微镜测试结果及分析 | 第40-42页 |
| ·透射电子显微镜的结果及讨论 | 第42-46页 |
| ·结果讨论及可能的应用前景展望 | 第46-51页 |
| ·He 和H 离子联合注入单晶Si 表面剥离的机制探 | 第46-49页 |
| ·He 和H 离子注入Si_3N_4/Si 两层剥离机理的讨论 | 第49-50页 |
| ·Si_3N_4/Si 两层剥离现象可能的应用讨论 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 He和H离子注入SiO_2/Si损伤结果和分析 | 第52-59页 |
| ·扫描电子显微镜测试结果和分析 | 第52-53页 |
| ·光学显微镜观测结果和分析 | 第53-54页 |
| ·原子力显微镜测试结果及分析 | 第54-55页 |
| ·透射电子显微镜的结果及讨论 | 第55-57页 |
| ·结果讨论及表面发泡机制探讨 | 第57-58页 |
| ·本章小节 | 第58-59页 |
| 第五章 He和H离子注入SiO_2/Si样品发光研究结果及分析 | 第59-67页 |
| ·光致发光谱的结果及分析 | 第59-61页 |
| ·高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的观测结果和分析 | 第61-63页 |
| ·原子力显微镜的测量结果和分析 | 第63-64页 |
| ·结果讨论及发光的可能机制探讨 | 第64-66页 |
| ·本章小节 | 第66-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-70页 |
| 参考文献 | 第70-79页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
