AlN薄膜的制备与介电性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·SOI概述 | 第9-11页 |
| ·自加热效应的解决方法 | 第11-14页 |
| ·新材料研究进展 | 第11-13页 |
| ·新结构研究进展 | 第13-14页 |
| ·AlN作为SOI绝缘层的研究进展及存在的问题 | 第14-19页 |
| ·AlN的结构和物理性质 | 第14-15页 |
| ·AlN应用和制备方法 | 第15-16页 |
| ·AlN作为SOI绝缘层的研究进展 | 第16-18页 |
| ·存在的问题 | 第18-19页 |
| ·本文的研究意义和目的 | 第19-20页 |
| ·研究意义 | 第19页 |
| ·研究目的 | 第19-20页 |
| ·本文的研究思路 | 第20-21页 |
| 第二章 薄膜的制备方法与表征技术 | 第21-43页 |
| ·磁控溅射沉积薄膜制备技术简介 | 第21-28页 |
| ·原理 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射 | 第22-23页 |
| ·TXZ-500I磁控溅射镀膜机简介 | 第23-27页 |
| ·基底的预处理 | 第27页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第27-28页 |
| ·薄膜的热处理 | 第28页 |
| ·薄膜的测试与分析方法 | 第28-42页 |
| ·薄膜的成分测试 | 第28-31页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第31-32页 |
| ·薄膜表面形貌与结构分析 | 第32-34页 |
| ·薄膜的折射率检测 | 第34-35页 |
| ·薄膜的介电性能测试 | 第35-39页 |
| ·正电子湮没测试 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 薄膜性能及其变化规律的研究 | 第43-60页 |
| ·主要实验方案概要 | 第43-44页 |
| ·溅射参数对薄膜沉积速率的影响 | 第44-48页 |
| ·起辉电压 | 第45-46页 |
| ·N_2/Ar气压比对沉积速率的影响 | 第46页 |
| ·溅射气压对沉积速率的影响 | 第46-47页 |
| ·溅射功率对薄膜沉积速率的影响 | 第47-48页 |
| ·成分分析 | 第48-50页 |
| ·X射线能量色散谱分析 | 第48-49页 |
| ·XPS分析元素价态分析 | 第49-50页 |
| ·表面形貌及晶体结构研究 | 第50-54页 |
| ·扫描电镜分析(SEM) | 第50-51页 |
| ·原子力显微镜 | 第51-53页 |
| ·晶体结构研究 | 第53-54页 |
| ·抗电强度研究 | 第54-57页 |
| ·抗电强度随气压比的变化关系 | 第54-55页 |
| ·抗电强度与功率的关系 | 第55页 |
| ·抗电强度随气压的变化关系 | 第55-56页 |
| ·抗电强度分析 | 第56-57页 |
| ·介电常数随沉积功率的变化 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 热退火对薄膜性能的影响 | 第60-69页 |
| ·退火实验 | 第60-61页 |
| ·薄膜成分 | 第61-62页 |
| ·晶体结构及折射率 | 第62-63页 |
| ·表面形貌 | 第63-64页 |
| ·抗电强度 | 第64-65页 |
| ·介电常数 | 第65-66页 |
| ·薄膜的缺陷及界面性能 | 第66-68页 |
| ·沉积气压与S参数的关系 | 第66-67页 |
| ·退火温度与S参数的关系 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论及展望 | 第69-71页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第78页 |
