| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·市场决定DRAM 的增长和发展 | 第7-8页 |
| ·DRAM 生产的发展方向 | 第8-9页 |
| ·DRAM 的研制与发展 | 第9-11页 |
| ·论文工作的任务 | 第11-12页 |
| 第二章 DRAM 工作原理 | 第12-25页 |
| ·概述 | 第12-13页 |
| ·DRAM 的标准架构 | 第13-14页 |
| ·DRAM 中的记忆单元 | 第14-25页 |
| ·记忆单元的基本结构 | 第14-17页 |
| ·记忆单元的基本动作 | 第17-19页 |
| ·记忆单元的水池模型 | 第19-25页 |
| 第三章 DRAM 晶体管单元结构及工艺类型 | 第25-50页 |
| ·存储电容的结构及工艺 | 第25-36页 |
| ·概述 | 第25-27页 |
| ·沟槽式单元Trench Cells (TRC) | 第27-30页 |
| ·堆叠式单元Stacked Cells (STC) | 第30-36页 |
| ·DRAM 工艺集成 | 第36-40页 |
| ·分立元件DRAM | 第36-39页 |
| ·嵌入式DRAM | 第39-40页 |
| ·DRAM 的核心工艺 | 第40-50页 |
| ·概述及发展方向 | 第40-43页 |
| ·单元区电介质技术 | 第43-48页 |
| ·漏电流技术 | 第48-50页 |
| 第四章 DRAM 集成工艺的改进实例和相关难点 | 第50-66页 |
| ·90nm TRC 沟槽工艺 | 第50-56页 |
| ·STC 连接孔金属化处理简介 | 第56-61页 |
| ·连接孔金属化工艺流程 | 第56-57页 |
| ·难点描述 | 第57页 |
| ·分析难点和查找根源 | 第57-58页 |
| ·工艺的挑战 | 第58-61页 |
| ·STC 堆叠式DRAM 阈值电压改变问题 | 第61-66页 |
| ·问题描述 | 第61页 |
| ·问题分析 | 第61-64页 |
| ·改善方案和改善结果 | 第64-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| 第五章 结束语 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |