| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·MEMS的发展及应用 | 第9-11页 |
| ·MEMS的特点 | 第9页 |
| ·MEMS技术应用领域 | 第9-10页 |
| ·MEMS的发展水平及趋势 | 第10-11页 |
| ·MEMS传感器概述 | 第11-12页 |
| ·多孔硅研究概述 | 第12-13页 |
| ·多孔硅的发展 | 第12页 |
| ·多孔硅的应用 | 第12-13页 |
| ·多孔硅基传感器研究 | 第13页 |
| ·本论文研究意义 | 第13-15页 |
| 第二章 实验原理 | 第15-24页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第15-16页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第16-17页 |
| ·Lehmann & Gosele模型 | 第16页 |
| ·Beale模型 | 第16-17页 |
| ·扩散限制模型 | 第17页 |
| ·温度传感器工作原理 | 第17-20页 |
| ·电阻温度传感器工作原理 | 第17-18页 |
| ·热电偶原理 | 第18-20页 |
| ·MEMS加工工艺 | 第20-23页 |
| ·四探针法测量薄膜电阻率原理 | 第23-24页 |
| 第三章 多孔硅微结构参数测试及薄膜沉积的实验方法 | 第24-31页 |
| ·多孔硅微结构参数测试 | 第24-27页 |
| ·多孔硅制备 | 第24-25页 |
| ·多孔硅微结构参数测量 | 第25-27页 |
| ·多孔硅上薄膜沉积及多孔硅氧化 | 第27-28页 |
| ·多孔硅上薄膜电阻温度特性测量 | 第28-29页 |
| ·多孔硅基热电偶温度传感器设计制作及性能测试 | 第29-31页 |
| ·工艺流程及温度传感器整体结构 | 第29-30页 |
| ·传感器性能测试 | 第30-31页 |
| 第四章 多孔硅微观形貌分析及金属/多孔硅接触研究 | 第31-42页 |
| ·多孔硅表面形貌分析 | 第31-35页 |
| ·非氧化条件下多孔硅表面形貌分析 | 第31-33页 |
| ·非氧化条件多孔硅断面形貌分析 | 第33-34页 |
| ·氧化与非氧化多孔硅表面微观形貌对比 | 第34-35页 |
| ·金属/多孔硅接触特性研究 | 第35-40页 |
| ·PS表面镀制不同金属薄膜的伏安特性 | 第36-38页 |
| ·不同孔隙率PS形成M/PS/Si/M结构的伏安特性 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 多孔硅绝热性能分析及验证 | 第42-53页 |
| ·PS孔隙率与热导率间的关系及氧化条件对PS绝热性能的影响 | 第42-45页 |
| ·样品制备及测量 | 第42-43页 |
| ·结论与分析 | 第43-45页 |
| ·多孔硅层厚度与绝热性能的关系 | 第45-46页 |
| ·微晶粒尺寸与热导率的关系 | 第46-47页 |
| ·在PS上溅射镀膜并分析验证热学性能 | 第47-52页 |
| ·多孔硅上金属薄膜的电阻温度特性 | 第47-49页 |
| ·多孔硅与硅的绝热性能对比 | 第49-50页 |
| ·不同制备条件下多孔硅绝热性能对比 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 多孔硅基热电偶温度传感器研究 | 第53-65页 |
| ·采用传统MEMS工艺的设计流程 | 第53-55页 |
| ·工艺流程优化及传感器制作 | 第55-59页 |
| ·传感器性能测试 | 第59-63页 |
| ·结点温差测量 | 第59-61页 |
| ·多孔硅与硅绝热性对比 | 第61-62页 |
| ·回路热电势测量 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第七章 结论及展望 | 第65-68页 |
| ·实验结论 | 第65-66页 |
| ·本论文创新点 | 第66页 |
| ·工作展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |