| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1．1 论文研究的背景、目的和进展 | 第8-14页 |
| 1．2 本论文的结构安排 | 第14页 |
| 参考文献 | 第14-18页 |
| 第二章 半导体量子点材料生长的基本理论和背景知识 | 第18-35页 |
| 2．1 半导体量子点的电子态 | 第18-20页 |
| 2．2 薄膜生长的理论模型 | 第20-28页 |
| ·薄膜的生长的特点 | 第20-22页 |
| 2．2．2 分子束外延生长技术 | 第22-23页 |
| 2．2．3 薄膜生长模式的分类 | 第23-26页 |
| 2．2．4 S-K模式的生长机理 | 第26-28页 |
| 2．3 计算机模拟薄膜生长方法简介 | 第28-29页 |
| 2．4 影响量子点生长因素的分析 | 第29-32页 |
| 2．4．1 表面特性对量子点生长的影响 | 第29-32页 |
| 2．4．2 温度和扩散长度对量子点生长的影响 | 第32页 |
| 2．5 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献： | 第33-35页 |
| 第三章 基于格林函数法的应变自组织低维材料的应变分布计算 | 第35-47页 |
| 3．1 半导体量子点的应力和应变 | 第36-37页 |
| 3．2 模型的建立及其理论基础 | 第37-39页 |
| 3．3 量子点的应力应变的解析计算 | 第39-44页 |
| 3．4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献： | 第45-47页 |
| 第四章 蒙特卡罗模拟外延薄膜材料的生长 | 第47-70页 |
| 4．1 动力学蒙特卡罗算法方法 | 第47-49页 |
| 4．2 模拟过程中的生长参数设定 | 第49-54页 |
| 4．2．1 原子扩散的势垒 | 第49-53页 |
| 4．2．2 周期边界条件 | 第53-54页 |
| 4．3 理想均匀衬底上量子点的薄膜生长 | 第54-58页 |
| 4．4 非均匀预应变衬底上的量子点薄膜生长 | 第58-66页 |
| 4．5 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献： | 第67-70页 |
| 第五章 后续工作及展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73页 |