摘要 | 第1-11页 |
ABSTRACT | 第11-13页 |
第一章 绪论 | 第13-22页 |
·密码学概述 | 第13-14页 |
·旁路攻击 | 第14-15页 |
·数字集成电路设计方法 | 第15-19页 |
·全定制设计流程 | 第15-17页 |
·半定制设计流程 | 第17-19页 |
·课题研究现状与内容 | 第19-20页 |
·国内外研究现状 | 第19-20页 |
·课题研究的主要工作 | 第20页 |
·本文结构 | 第20-22页 |
第二章 功耗分析攻击及其防护方法 | 第22-36页 |
·旁路攻击 | 第22-25页 |
·功耗分析攻击 | 第25-31页 |
·静态互补CMOS 逻辑的功耗特性 | 第25-27页 |
·简单功耗分析攻击 | 第27-28页 |
·差分功耗分析攻击 | 第28-31页 |
·功耗分析攻击防护方法 | 第31-35页 |
·DPA 防护技术概述 | 第31-33页 |
·伪装(Masking) | 第33-34页 |
·解相关(Decorrelation) | 第34-35页 |
·小结 | 第35-36页 |
第三章 抗功耗分析攻击逻辑的基本原理 | 第36-46页 |
·抗功耗分析攻击逻辑的基本特性 | 第36-38页 |
·DDCVSL | 第38-42页 |
·DDCVSL 逻辑功能描述 | 第39-40页 |
·DDCVSL 基本逻辑门 | 第40-42页 |
·SABL | 第42-44页 |
·SABL 逻辑功能描述 | 第42-43页 |
·SABL 基本逻辑门 | 第43-44页 |
·小结 | 第44-46页 |
第四章 抗功耗分析攻击逻辑标准单元的实现 | 第46-56页 |
·标准单元设计实现流程 | 第46-48页 |
·标准单元结构设计 | 第48-49页 |
·晶体管具体长宽设置 | 第49-50页 |
·标准单元的特征描述 | 第50-53页 |
·传播延时与输出斜坡时间 | 第50-51页 |
·输入引脚电容 | 第51-52页 |
·功耗 | 第52页 |
·面积 | 第52-53页 |
·仿真环境 | 第53-54页 |
·标准单元的特征化结果 | 第54-55页 |
·小结 | 第55-56页 |
第五章 DDCVSL 与SABL 两种逻辑比较分析 | 第56-64页 |
·制造工艺对各种逻辑抗功耗分析特性的影响 | 第56-57页 |
·逻辑单元比较的评价尺度 | 第57-59页 |
·标准功耗偏差(NED) | 第57-58页 |
·标准电流偏差(NCD) | 第58页 |
·传播延时 | 第58页 |
·功耗 | 第58页 |
·版图面积 | 第58-59页 |
·不同逻辑的仿真结果 | 第59-61页 |
·不同逻辑比较分析 | 第61-63页 |
·小结 | 第63-64页 |
第六章 抗功耗分析攻击密码模块的实现 | 第64-74页 |
·基于双轨逻辑的密码模块设计流程 | 第64-70页 |
·双轨逻辑与传统半定制设计流程的兼容性 | 第65-66页 |
·改进的半定制设计流程 | 第66-68页 |
·网表转换 | 第68-69页 |
·布局布线 | 第69-70页 |
·S-盒密码模块 | 第70-71页 |
·S-盒密码模块的实现比较 | 第71-73页 |
·小结 | 第73-74页 |
第七章 结束语 | 第74-76页 |
·全文总结 | 第74-75页 |
·未来的研究目标 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-83页 |
作者在攻读硕士期间发表的论文 | 第83页 |