| 1 绪论 | 第1-26页 |
| 1．1 金刚石的结构和主要性质 | 第9-16页 |
| 1．1．1 碳的结晶形式 | 第10-12页 |
| 1．1．2 金刚石的形成条件 | 第12-13页 |
| 1．1．3 金刚石的主要性质 | 第13-16页 |
| 1．2 CVD 方法制备金刚石薄膜材料研究现状 | 第16-23页 |
| 1．2．1 制备金刚石薄膜研究概况 | 第16页 |
| 1．2．2 气相沉积金刚石薄膜的方法简介 | 第16-23页 |
| 1．3 金刚石薄膜应用研究现状及本文主要内容 | 第23-26页 |
| 1．3．1 应用研究现状 | 第23-25页 |
| 1．3．2 本文研究目的及内容 | 第25-26页 |
| 2 金刚石薄膜沉积样品制备与研究 | 第26-34页 |
| 2．1 热丝CVD 法沉积金刚石薄膜系统 | 第26-27页 |
| 2．1．1 试验真空系统沉积装置 | 第26页 |
| 2．1．2 其他设备系统装置 | 第26-27页 |
| 2．2 样品制备及工艺 | 第27-28页 |
| 2．2．1 衬底材料的预处理 | 第27页 |
| 2．2．2 实验工艺参数选择 | 第27-28页 |
| 2．3 工艺参数的选择对热丝CVD 金刚石形核生长的影响 | 第28-31页 |
| 2．3．1 灯丝对CVD 金刚石膜的影响 | 第28-29页 |
| 2．3．2 不同衬底对CVD 金刚石膜的影响 | 第29-30页 |
| 2．3．3 气源浓度对CVD 金刚石的影响 | 第30-31页 |
| 2．3．4 本底真空及沉积室气压对CVD 金刚石膜的影响 | 第31页 |
| 2．4 CVD 金刚石薄膜的表征 | 第31-34页 |
| 2．4．1 扫描电镜(SEM) | 第31-32页 |
| 2．4．2 Raman 光谱散射 | 第32页 |
| 2．4．3 X-ray 衍射 | 第32-34页 |
| 3 热丝法CVD 生长金刚石薄膜的简化工艺研究 | 第34-41页 |
| 3．1 引言 | 第34页 |
| 3．2 试验 | 第34-35页 |
| 3．3 本底真空对金刚石薄膜的影响 | 第35-37页 |
| 3．3．1 本底真空度变化薄膜沉积数据分析 | 第35-36页 |
| 3．3．2 结果与讨论 | 第36-37页 |
| 3．4 灯丝温度降低对金刚石薄膜的影响 | 第37-40页 |
| 3．4．1 不同灯丝温度下薄膜沉积数据分析 | 第37-40页 |
| 3．4．2 结果与讨论 | 第40页 |
| 3．5 本章结论 | 第40-41页 |
| 4 直接在不锈钢钢上沉积多晶金刚石薄膜 | 第41-49页 |
| 4．1 引言 | 第41页 |
| 4．2 试验 | 第41-42页 |
| 4．3 不同沉积时间对薄膜的影响 | 第42-44页 |
| 4．3．1 不同沉积时间下薄膜沉积数据分析 | 第42-44页 |
| 4．3．2 结果与讨论 | 第44页 |
| 4．4 甲烷比率改变对直接在钢表面沉积薄膜的影响 | 第44-48页 |
| 4．4．1 改变甲烷比率薄膜沉积数据分析 | 第44-46页 |
| 4．4．2 结果与讨论 | 第46-48页 |
| 4．5 部分过渡层处理不锈钢基体沉积碳膜 | 第48页 |
| 4．6 本章结论 | 第48-49页 |
| 5 钢表面氮化物做过渡层化学气相沉积金刚石薄膜 | 第49-57页 |
| 5．1 引言 | 第49页 |
| 5．2 试验 | 第49-50页 |
| 5．3 CrN 为过渡层的316 不锈钢片上沉积金刚石薄膜 | 第50-53页 |
| 5．3．1 CrN 过渡层试样薄膜数据分析 | 第50-52页 |
| 5．3．2 结果与讨论 | 第52-53页 |
| 5．4 TiN 为过渡层的316 不锈钢片上沉积金刚石薄膜 | 第53-56页 |
| 5．4．1 TiN 过渡层试样薄膜数据分析 | 第53-55页 |
| 5．4．2 结果与讨论 | 第55-56页 |
| 5．5 本章结论 | 第56-57页 |
| 6 全文结论 | 第57-58页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
