| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-13页 |
| 第一章 文献综述 | 第13-47页 |
| ·CdZnTe晶体研究进展 | 第13-15页 |
| ·CdZnTe晶片表面化学处理研究进展 | 第15-21页 |
| ·半导体用腐蚀液的组成 | 第15页 |
| ·CdZnTe晶片表面极性鉴别及位错分析 | 第15-18页 |
| ·CdZnTe晶片表面化学抛光 | 第18-20页 |
| ·CdZnTe晶片表面钝化 | 第20-21页 |
| ·半导体晶体的表面 | 第21-27页 |
| ·半导体表面原子排列 | 第21-23页 |
| ·半导体表面偏析 | 第23页 |
| ·CdZnTe晶面特征 | 第23-24页 |
| ·半导体表面损伤层研究 | 第24页 |
| ·半导体表面分析技术 | 第24-26页 |
| ·CdZnTe晶片表面态研究 | 第26-27页 |
| ·CdZnTe欧姆接触电极制备研究进展 | 第27-34页 |
| ·金属-半导体接触理论及电流输运机制 | 第27-29页 |
| ·金属-半导体欧姆接触 | 第29-31页 |
| ·CdZnTe欧姆接触电极制备 | 第31-33页 |
| ·CdZnTe欧姆接触电极的后处理 | 第33-34页 |
| ·CdZnTe探测器的电荷输运及电极改进 | 第34-36页 |
| ·CdZnTe晶体的能带结构 | 第36-39页 |
| ·CdZnTe晶体的禁带宽度 | 第36-37页 |
| ·CdZnTe晶体的缺陷能级 | 第37-39页 |
| ·本论文研究内容及方法 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-47页 |
| 第二章 CdZnTe晶片表面化学抛光研究 | 第47-62页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验方法 | 第47-49页 |
| ·CdZnTe晶片准备 | 第47页 |
| ·化学抛光处理 | 第47-48页 |
| ·表面分析 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-60页 |
| ·不同抛光液腐蚀前后的表面形貌和粗糙度分析 | 第49页 |
| ·不同浓度Br-MeOH的腐蚀速率研究 | 第49-51页 |
| ·Br-MeOH腐蚀前后CdZnTe(111)A面的组成分析 | 第51-58页 |
| ·Br-MeOH腐蚀前后的PL谱分析 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第三章 CdZnTe晶片表面化学钝化研究 | 第62-84页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·钝化剂的选择研究 | 第62-64页 |
| ·Br-MeOH腐蚀后的室温大气下的自钝化研究 | 第64-66页 |
| ·不同钝化剂钝化效果对比研究 | 第66-72页 |
| ·CdZnTe晶片准备 | 第66页 |
| ·表面钝化及电极合金化 | 第66页 |
| ·性能测试 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-72页 |
| ·NH_4F/H_2O_2钝化效果的进一步研究 | 第72-81页 |
| ·NH_4F/H_2O_2钝化前后的表面组成和形貌分析 | 第72-78页 |
| ·NH_4F/H_2O_2钝化前后的PL谱分析 | 第78-81页 |
| ·本章小结 | 第81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第四章 CdZnTe表面欧姆电极的制备研究 | 第84-108页 |
| ·CdZnTe表面欧姆电极的制备工艺探讨 | 第84-88页 |
| ·表面电极材料的选择 | 第84-85页 |
| ·表面化学抛光与钝化工艺 | 第85-86页 |
| ·表面电极的制备与保护 | 第86页 |
| ·表面电极的合金化处理 | 第86-87页 |
| ·Au/CdZnTe欧姆电极的制作工艺流程 | 第87-88页 |
| ·Au/CdZnTe接触在大气气氛中的低温退火研究 | 第88-95页 |
| ·CdZnTe晶片准备 | 第88页 |
| ·电极制备及退火处理 | 第88页 |
| ·性能测试 | 第88-89页 |
| ·结果与讨论 | 第89-95页 |
| ·Au/CdZnTe接触在大气气氛中的分段退火研究 | 第95-101页 |
| ·Au/CdZnTe接触在大气气氛中的中温退火研究 | 第101-105页 |
| ·本章小结 | 第105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第五章 不同晶向CdZnTe的表面态和界面态研究 | 第108-117页 |
| ·化学处理前后CdZnTe(111)A面和(111)B面组成对比分析 | 第108-109页 |
| ·Au/TeO_2/CdZnTe(111)B界面接触势垒研究 | 第109-111页 |
| ·Au与CdZnTe的界面结构研究 | 第111-114页 |
| ·CdZnTe其它晶面的研究 | 第114-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-117页 |
| 第六章 CdZnTe晶体的其它特性研究 | 第117-127页 |
| ·CdZnTe晶体的临界场强 | 第117-120页 |
| ·CdZnTe晶体的光学带隙研究 | 第120-123页 |
| ·CdZnTe晶体的TG研究 | 第123-125页 |
| ·本章小结 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 结论 | 第127-129页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第129-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
