| 绪论 | 第1-8页 |
| 第一章 带STI 的DPD 探测器的器件模拟与分析 | 第8-23页 |
| ·相关工艺的介绍及器件结构 | 第8-12页 |
| ·浅沟槽隔离工艺(shallow trench isolation,STI)[1] | 第8-10页 |
| ·工艺上采用深N 阱的必要性 | 第10-11页 |
| ·器件结构[5] | 第11-12页 |
| ·器件模拟 | 第12-21页 |
| ·器件模拟分析 | 第12-16页 |
| ·光生载流子浓度分析[8] | 第16-19页 |
| ·频率响应模拟 | 第19-21页 |
| ·小结 | 第21-23页 |
| 第二章 CMOS 设计基础及带宽估计技术 | 第23-42页 |
| ·集成电路材料和工艺概述 | 第23-25页 |
| ·集成电路材料[11-14] | 第23页 |
| ·CMOS 工艺 | 第23-25页 |
| ·MOS 管工作原理及特性方程 | 第25-28页 |
| ·MOS 管工作原理及低频小信号模型 | 第25页 |
| ·MOS 管的电流电压特性方程 | 第25-26页 |
| ·转移特性和输出特性 | 第26-28页 |
| ·CMOS 模拟集成电路单元电路 | 第28-34页 |
| ·有源电阻 | 第28-29页 |
| ·恒流源电路 | 第29-31页 |
| ·输出级电路 | 第31-34页 |
| ·实现模拟电路时MOS工艺与双极型工艺区别 | 第34-35页 |
| ·放大器的稳定性 | 第35-38页 |
| ·负反馈放大器的基本关系式 | 第36页 |
| ·闭环自激振荡产生的条件 | 第36-37页 |
| ·集成运放闭环稳定性判据 | 第37-38页 |
| ·频带宽度估算方法[25] | 第38-41页 |
| ·开路时间常数法简介 | 第38-39页 |
| ·其它重要的考虑因素 | 第39-40页 |
| ·一些有用的公式 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第三章 OEIC 接收机放大器的设计和模拟 | 第42-55页 |
| ·OEIC 接收机发展现状 | 第42-43页 |
| ·OEIC 接收机放大器的设计 | 第43-50页 |
| ·前置放大器的设计 | 第43-48页 |
| ·主放大器设计 | 第48-50页 |
| ·OEIC 接收机的模拟 | 第50-53页 |
| ·HSPICE 简介 | 第50页 |
| ·模拟结果 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第四章 版图设计 | 第55-64页 |
| ·CMOS 集成电路版图设计概述 | 第55-58页 |
| ·版图设计规则 | 第55页 |
| ·版图设计步骤 | 第55-56页 |
| ·版图的基本元器件 | 第56-58页 |
| ·OEIC 接收机版图设计 | 第58-63页 |
| ·探测器版图 | 第58-59页 |
| ·光电集成接收机版图设计 | 第59页 |
| ·版图验证 | 第59-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 芯片的测试 | 第64-74页 |
| ·测试基座的设计 | 第64-68页 |
| ·PROTEL 简介 | 第64-66页 |
| ·阻抗匹配的计算 | 第66-68页 |
| ·测试内容 | 第68-72页 |
| ·探测器性能测试 | 第68-71页 |
| ·电路测试 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 总结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第78-79页 |
| 附录 | 第79-82页 |
| 致谢 | 第82页 |