| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| ·化学修饰电极 | 第9-12页 |
| ·化学修饰电极的起源及定义 | 第9页 |
| ·化学修饰电极的分类 | 第9页 |
| ·化学修饰电极的制备方法 | 第9-11页 |
| ·化学修饰电极的表征 | 第11-12页 |
| ·碳纳米管修饰电极在电分析中的应用研究 | 第12-16页 |
| ·碳纳米管的结构与特点 | 第12页 |
| ·碳纳米管的纯化与溶解性改良 | 第12-14页 |
| ·碳纳米管修饰电极的制备方法 | 第14-16页 |
| ·氧化石墨烯在电分析应用中的研究 | 第16-20页 |
| ·石墨烯和氧化石墨烯的结构与特点 | 第16-17页 |
| ·石墨烯和氧化石墨烯的制备 | 第17-19页 |
| ·石墨烯和氧化石墨烯作为修饰电极的应用 | 第19-20页 |
| ·研究设想及工作意义 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-28页 |
| 第2章 基于SWNT/Nafion修饰玻碳电极的二氢杨梅素伏安传感器的研究 | 第28-41页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·实验部分 | 第29-30页 |
| ·仪器与试剂 | 第29页 |
| ·SWNT/Nafion/GCE修饰电极的制备 | 第29页 |
| ·实际样品的处理 | 第29页 |
| ·实验方法 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-38页 |
| ·SWNT/Nafion修饰膜的表征 | 第30-32页 |
| ·二氢杨梅素在SWNT/Nafion/GCE上的循环伏安行为 | 第32-34页 |
| ·分析条件的优化 | 第34-36页 |
| ·分析方法的建立 | 第36-37页 |
| ·干扰实验 | 第37页 |
| ·DMY在实际样品中的测定 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第3章 基于GO/DMF修饰电极的柠檬黄的伏安传感器的研究 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验部分 | 第41-42页 |
| ·仪器与试剂 | 第41-42页 |
| ·氧化石墨烯和GO/DMF修饰电极的制备 | 第42页 |
| ·实验方法 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-50页 |
| ·制备的GO的表征和GO/DMF膜的表征 | 第42-44页 |
| ·柠檬黄在GO/DMF/GCE上的循环伏安行为 | 第44-46页 |
| ·分析条件的优化 | 第46-48页 |
| ·分析方法的建立 | 第48-49页 |
| ·干扰 | 第49页 |
| ·柠檬黄在实际样品中的测定 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第4章 基于聚茜素红/GO-Nafion修饰电极的NO_2~-伏安传感器研究 | 第52-61页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验部分 | 第53页 |
| ·仪器与试剂 | 第53页 |
| ·聚AR/GO-Nafion修饰电极的制备 | 第53页 |
| ·实验方法 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-58页 |
| ·聚AR/GO-Nafion复合膜的电化学表征 | 第53-54页 |
| ·NO_2~-在聚AR/GO-Nafion/GCE上的循环伏安行为 | 第54-55页 |
| ·分析条件的优化 | 第55-57页 |
| ·分析方法的建立 | 第57页 |
| ·干扰 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第5章 结论 | 第61-62页 |
| 个人简历 | 第62页 |
| 在校期间已发表论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
