掺杂3C-SiC热学和光电性能的理论研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·碳化硅的历史背景及应用 | 第10-11页 |
| ·碳化硅的结构和基本性质 | 第11-15页 |
| ·碳化硅掺杂的实验方法 | 第15-17页 |
| ·研究的目的和意义 | 第17-18页 |
| ·研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 理论基础与计算方法简介 | 第20-32页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-26页 |
| ·Thomas-Fermi 模型 | 第20-23页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第23-24页 |
| ·局域密度近似和广义梯度近似 | 第24-25页 |
| ·交换关联泛函 | 第25-26页 |
| ·赝势方法 | 第26-28页 |
| ·模守恒赝势 | 第27-28页 |
| ·超软赝势 | 第28页 |
| ·计算模拟简介 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 掺杂碳化硅热导率的研究 | 第32-46页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·碳化硅的热学理论 | 第32-35页 |
| ·掺杂碳化硅的热导机制 | 第33-34页 |
| ·半导体热导率计算模型 | 第34-35页 |
| ·掺杂碳化硅热学性能的计算结果 | 第35-42页 |
| ·计算方法和结构模型 | 第35-36页 |
| ·计算机模拟计算 | 第36-39页 |
| ·掺杂碳化硅的热导率 | 第39-42页 |
| ·结果讨论 | 第42-45页 |
| ·掺杂产生的晶格畸变 | 第42-44页 |
| ·掺杂引起的局域振动 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 掺杂碳化硅光电性能研究 | 第46-60页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·碳化硅的光学理论 | 第46-48页 |
| ·掺杂碳化硅光学性能的计算 | 第48-53页 |
| ·掺杂碳化硅的光电导 | 第49-51页 |
| ·掺杂碳化硅的吸收和折射 | 第51-53页 |
| ·掺杂对光致发光的影响 | 第53-58页 |
| ·光致发光的理论计算 | 第53-55页 |
| ·能带和吸收性能的计算 | 第55-56页 |
| ·光致发光的计算结果 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |
