Ge-SiO2薄膜的光致发光和电致发光及其机理研究
| 致谢 | 第1-3页 |
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 概 述 | 第7-18页 |
| 1．1 硅基发光材料研究的意义 | 第7-8页 |
| 1．2 硅基发光材料的发展 | 第8-9页 |
| 1．3 半导体纳米颗粒电子结构的理论研究 | 第9-11页 |
| 1．4 本论文的研究思路和主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 Ge-SiO_2薄膜的制备 | 第13-18页 |
| 2．1 实验装置 | 第13-14页 |
| 2．2 Ge-SiO_2薄膜的制备 | 第14-18页 |
| 2．2．1 基片的清洗 | 第14-15页 |
| 2．2．2 靶材的设计 | 第15页 |
| 2．2．3 薄膜的沉积和退火处理 | 第15-16页 |
| 2．2．4 电致发光器件的制作 | 第16-18页 |
| 第三章 Ge-SiO_2薄膜的表征 | 第18-26页 |
| 3．1 膜厚的测量 | 第18页 |
| 3．2 X射线衍射分析 | 第18-21页 |
| 3．3 透射电子显微镜观察结果 | 第21-22页 |
| 3．4 傅立叶变换红外光谱分析 | 第22-23页 |
| 3．5 光电子能谱分析 | 第23-25页 |
| 3．6 小结 | 第25-26页 |
| 第四章 Ge-SiO_2薄膜的光致发光研究 | 第26-33页 |
| 4．1 固体的发光 | 第26-27页 |
| 4．2 光致发光实验和结果 | 第27-29页 |
| 4．3 光致发光机理的讨论 | 第29-32页 |
| 4．4 小结 | 第32-33页 |
| 第五章 Ge-SiO_2薄膜的电致发光研究 | 第33-40页 |
| 5．1 电致发光实验结果 | 第33-37页 |
| 5．2 电致发光机理讨论 | 第37-39页 |
| 5．3 小结 | 第39-40页 |
| 第六章 结 语 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 发表论文目录 | 第45页 |
