| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1.绪论 | 第7-10页 |
| ·研究背景和意义 | 第7-8页 |
| ·THz的主要探测方法及国内外发展现状 | 第8页 |
| ·本文的主要工作与内容 | 第8-10页 |
| 2.THz波的产生、探测与应用 | 第10-23页 |
| ·THz辐射产生机制 | 第10-15页 |
| ·光导激发法 | 第10-13页 |
| ·光整流法 | 第13-15页 |
| ·THz波的探测 | 第15-20页 |
| ·时域光谱探测技术 | 第15-17页 |
| ·太赫兹互相关法探测 | 第17-20页 |
| ·THz技术的应用 | 第20-22页 |
| ·THz波成像 | 第20页 |
| ·军事安全 | 第20-21页 |
| ·生物医学 | 第21页 |
| ·环境监测 | 第21-22页 |
| ·宽带移动通讯 | 第22页 |
| ·天文物理 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3.Ⅲ-Ⅴ族化合物、二维电子气及量子阱超晶格的光学性质 | 第23-45页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物概述 | 第23-27页 |
| ·GaAs的能带结构 | 第23-24页 |
| ·锑化铟的能带结构 | 第24-25页 |
| ·磷化镓和磷化铟的能带结构 | 第25页 |
| ·混合晶体的能带结构 | 第25-27页 |
| ·二维电子气的性质 | 第27-35页 |
| ·二维电子气的概念 | 第27-28页 |
| ·二维电子气的能量状态 | 第28-31页 |
| ·二维电子气的光学性质 | 第31-35页 |
| ·半导体超晶格、量子阱的量子态和带间光跃迁过程 | 第35-44页 |
| ·半导体势阱中的量子态 | 第36-38页 |
| ·势阱中量子态的混合与杂化 | 第38-39页 |
| ·量子阱中激子及其光跃迁过程 | 第39-43页 |
| ·量子阱中导带子带和价带子带间的带间跃迁 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4.基于DELTT的THz探测器件的研究 | 第45-55页 |
| ·建立等价电路模型 | 第45-49页 |
| ·量子阱THz探测器的核心 | 第45-46页 |
| ·对探测器件结构的分析 | 第46-49页 |
| ·天线电流与THz辐射的关系计算 | 第49-50页 |
| ·等效电路的阻抗计算 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5.结束语 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |