| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-27页 |
| ·多孔硅简介 | 第12-17页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第12-13页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第13-17页 |
| ·多孔硅的应用 | 第17页 |
| ·润湿行为研究进展 | 第17-20页 |
| ·润湿现象 | 第17-18页 |
| ·理想表面润湿性原理 | 第18-19页 |
| ·粗糙表面上润湿性原理 | 第19-20页 |
| ·润湿行为的研究方法 | 第20-23页 |
| ·座滴法 | 第20-21页 |
| ·落置液滴法 | 第21-22页 |
| ·吊板法 | 第22-23页 |
| ·润湿行为在材料工程中的应用与作用 | 第23-25页 |
| ·润湿行为在金属基复合材料制备中的应用 | 第23-24页 |
| ·材料连接中的润湿行为 | 第24页 |
| ·涂层的润湿行为 | 第24-25页 |
| ·电润湿现象 | 第25-26页 |
| ·本文选题意义及主要研究内容 | 第26-27页 |
| 第2章 多孔硅制备的实验方法 | 第27-35页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第27页 |
| ·仪器 | 第27页 |
| ·材料与试剂 | 第27页 |
| ·硅基片的光刻 | 第27-29页 |
| ·清洗和生成氧化膜 | 第27页 |
| ·涂胶和前烘 | 第27-28页 |
| ·曝光和显影 | 第28-29页 |
| ·坚膜和检查 | 第29页 |
| ·诱导槽的刻蚀 | 第29-32页 |
| ·氧化膜与光刻胶的去除 | 第29-30页 |
| ·诱导槽的刻蚀 | 第30-32页 |
| ·硅片的电化学刻蚀 | 第32-35页 |
| 第3章 多孔硅制备的工艺研究 | 第35-46页 |
| ·条状多孔硅的形成机理 | 第35-37页 |
| ·HF 浓度对条状多孔硅形貌影响 | 第37-39页 |
| ·电流密度对条状多孔硅形貌的影响 | 第39-41页 |
| ·条状多孔硅孔壁分叉现象形成原因 | 第41-42页 |
| ·条状多孔硅产生分立小孔原因 | 第42-43页 |
| ·柱状多孔硅形貌及分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 汞滴与硅基体之间的介质电润湿行为 | 第46-61页 |
| ·实验材料及实验过程 | 第46页 |
| ·实验结果 | 第46-52页 |
| ·Hg 滴与覆盖100nm 二氧化硅膜硅基底之间的润湿行为 | 第46-48页 |
| ·Hg 滴与覆盖200nm 二氧化硅膜硅基底之间的润湿行为 | 第48-50页 |
| ·Hg 滴与覆盖650nm 二氧化硅膜硅基底之间的润湿行为 | 第50-52页 |
| ·结果分析 | 第52-60页 |
| ·外加电势对润湿接触角影响及分析 | 第52-56页 |
| ·接触角饱和现象的原因及分析 | 第56-58页 |
| ·二氧化硅层厚度对电润湿的影响 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 汞滴与多孔硅基体之间的介质电润湿行为 | 第61-68页 |
| ·实验材料及实验过程 | 第61-62页 |
| ·实验结果与分析 | 第62-66页 |
| ·多孔硅空隙对电润湿行为的影响及分析 | 第62-65页 |
| ·多孔硅深度对电润湿行为的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第73页 |
