| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·纳米材料 | 第11-14页 |
| ·半导体材料简介 | 第14-15页 |
| ·ZnO 简介 | 第15-20页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第15-18页 |
| ·ZnO 的应用 | 第18-19页 |
| ·ZnO 掺杂 | 第19-20页 |
| ·稀土简介 | 第20-25页 |
| ·稀土材料 | 第20-22页 |
| ·稀土离子 | 第22-23页 |
| ·Eu 掺杂 ZnO 薄膜的研究进展 | 第23-25页 |
| ·本论文研究的主要内容和意义 | 第25-27页 |
| 第二章 ZnO 薄膜制备方法及检测技术 | 第27-36页 |
| ·ZnO 薄膜制备方法 | 第27-32页 |
| ·有机金属化学气相沉积（MOCVD） | 第27页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第27-29页 |
| ·磁控溅射（MS）技术 | 第29页 |
| ·溶胶一凝胶(Sol-Gel)技术 | 第29-30页 |
| ·水热法(Hydrothermalmethod) | 第30页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第30-32页 |
| ·常用的薄膜检测技术 | 第32-36页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微（SEM） | 第33-34页 |
| ·光致荧光光谱（PL） | 第34-36页 |
| 第三章 ZnO 薄膜结构和发光性质的研究 | 第36-55页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·样品制备及测量 | 第36-38页 |
| ·实验结果与讨论 | 第38-53页 |
| ·衬底温度对 ZnO 薄膜结构和发光性质的影响 | 第38-44页 |
| ·样品结构分析 | 第38-40页 |
| ·样品 PL 谱分析 | 第40-44页 |
| ·氧流量对 ZnO 薄膜结构和光学性质的影响 | 第44-48页 |
| ·样品结构分析 | 第44-46页 |
| ·样品 PL 谱分析 | 第46-48页 |
| ·同质缓冲层对 ZnO 薄膜的结构和发光性质的影响 | 第48-53页 |
| ·样品结构分析 | 第48-50页 |
| ·样品 PL 谱分析 | 第50-53页 |
| ·本章小节 | 第53-55页 |
| 第四章 铕掺杂 ZnO 薄膜结构和光学性质研究 | 第55-68页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·样品制备及测量 | 第55-56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-67页 |
| ·氧压对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构与光学性质的影响 | 第56-62页 |
| ·样品结构分析 | 第56-60页 |
| ·样品 PL 谱分析 | 第60-62页 |
| ·退火气氛对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构和发光性质研究 | 第62-64页 |
| ·样品结构分析 | 第62-63页 |
| ·样品 PL 谱分析 | 第63-64页 |
| ·退火温度对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构和发光性质的影响 | 第64-67页 |
| ·样品结构分析 | 第64-66页 |
| ·样品 PL 谱分析 | 第66-67页 |
| ·本章小节 | 第67-68页 |
| 第五章 MSM 结构 ZnO/Cu 薄膜欧姆接触特性研究 | 第68-77页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·金属－半导体欧姆接触理论 | 第68-71页 |
| ·样品制备与测量 | 第71-72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-76页 |
| ·不同接触类型对样品 XRD 图谱的影响 | 第72-73页 |
| ·退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品结构的影响 | 第73-74页 |
| ·退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品表面形貌的影响 | 第73页 |
| ·退火处理对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品 XRD 图谱的影响 | 第73-74页 |
| ·样品的 I-V 特性分析 | 第74-76页 |
| ·不同接触类型对样品 I-V 特性的影响 | 第74-75页 |
| ·退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品 I-V 特性的影响 | 第75-76页 |
| ·本章小节 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 攻读博士学位期间发表和完成的学术论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
