| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 1 绪论 | 第13-35页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体基本物理性质 | 第15-22页 |
| ·PbSe和PbTe的晶体结构 | 第15-18页 |
| ·PbSe和PbTe的能带结构 | 第18-22页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的生长 | 第22-29页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体块体材料生长 | 第22-25页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体物理外延方法 | 第25-28页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体化学生长方法 | 第28-29页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体带阶测量 | 第29-31页 |
| ·本论文的工作 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 2 Ⅳ-Ⅵ族半导体常用表征手段简介 | 第35-47页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
| ·高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第36-38页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM) | 第38-39页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第39-41页 |
| ·能量色散X射线荧光光谱仪(EDX) | 第41页 |
| ·傅里叶变化红外透射光谱仪(FTIR) | 第41-43页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第43-44页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 3 PbTe/BaF2薄膜及Ⅳ-Ⅵ族低维结构的外延生长 | 第47-71页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·结果和讨论 | 第49-66页 |
| ·PbTe/BaF2(111)薄膜的位错和生长模式 | 第49-56页 |
| ·PbSe/PbTe量子点自组织生长 | 第56-62页 |
| ·PbTe薄膜微结构图样制备 | 第62-64页 |
| ·PbTe薄膜的发光特性 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 4 PbTe/Cdo_(0.96)Zn_(0.04)Te异质结的外延生长和特性研究 | 第71-95页 |
| ·引言 | 第71-73页 |
| ·实验 | 第73-74页 |
| ·结果和讨论 | 第74-91页 |
| ·PbTe/Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te应力驰豫机制 | 第74-79页 |
| ·PbTe/Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te生长特性研究 | 第79-82页 |
| ·冷却速率对PbTe/Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te表面形貌和晶体质量的影响 | 第82-85页 |
| ·PbTe/Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te界面特性研究 | 第85-88页 |
| ·PbTe/Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te光学和电学特性 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 5 PbTe/CdTe异质结带阶的XPS测量 | 第95-107页 |
| ·引言 | 第95-96页 |
| ·XPS带阶测量原理 | 第96-98页 |
| ·实验 | 第98-99页 |
| ·结果和讨论 | 第99-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 6 PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理研究 | 第107-117页 |
| ·引言 | 第107页 |
| ·实验 | 第107-108页 |
| ·结果和讨论 | 第108-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-117页 |
| 7 总结与今后工作展望 | 第117-119页 |
| ·总结 | 第117-118页 |
| ·今后工作展望 | 第118-119页 |
| 攻读博士学位期间主要的研究成果 | 第119-120页 |
