| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·铁电体及铁电薄膜概述 | 第9-11页 |
| ·铁电材料的基本特性 | 第9-10页 |
| ·铁电薄膜的性质和应用 | 第10-11页 |
| ·钛酸铋钠基铁电材料 | 第11-14页 |
| ·钛酸铋钠基铁电材料概述 | 第11-13页 |
| ·钛酸铋钠铁电材料的性质 | 第13页 |
| ·钛酸铋钠的掺杂改性 | 第13-14页 |
| ·铁电薄膜的制备技术 | 第14-17页 |
| ·课题选题依据及主要内容 | 第17-19页 |
| 第2章 BNKT 铁电薄膜的制备方法及分析测试方法 | 第19-32页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·CSD 法制备BNKT 薄膜 | 第19-26页 |
| ·CSD 法的基本原理 | 第19-20页 |
| ·CSD 法制备薄膜所需仪器 | 第20-21页 |
| ·原料的选择 | 第21页 |
| ·前躯体溶液的配置 | 第21-22页 |
| ·衬底材料的选择与清洗 | 第22-23页 |
| ·薄膜的制备流程 | 第23-24页 |
| ·顶电极的制备 | 第24-26页 |
| ·BNKT 铁电薄膜的分析测试方法 | 第26-32页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第26页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第26页 |
| ·能谱仪 | 第26-28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28-29页 |
| ·铁电分析仪 | 第29-30页 |
| ·半导体特性分析系统 | 第30页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第30-32页 |
| 第3章 K 含量及离子挥发对BNKT 薄膜性能的影响 | 第32-43页 |
| ·K 含量对BNKT 薄膜性能的影响 | 第32-36页 |
| ·SEM 形貌测试 | 第32-33页 |
| ·电滞回线测试与分析 | 第33-35页 |
| ·薄膜漏电流特性比较 | 第35-36页 |
| ·Bi/Na/K 离子挥发对薄膜性能的影响 | 第36-41页 |
| ·不同含量的BNKT 铁电薄膜的制备 | 第36页 |
| ·薄膜成分的能谱测试分析 | 第36-40页 |
| ·薄膜的电滞回线 | 第40页 |
| ·薄膜的漏电流密度 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 退火温度对BNKT 铁电薄膜性能的影响 | 第43-53页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·不同退火温度BNKT 薄膜的微观结构比较 | 第44-47页 |
| ·XRD 分析退火温度的影响 | 第44-45页 |
| ·AFM 分析薄膜形貌构 | 第45-47页 |
| ·不同退火温度BNKT 薄膜的铁电性能分析 | 第47-50页 |
| ·退火温度对薄膜漏电流的影响 | 第47页 |
| ·电滞回线的测试与结果分析 | 第47-50页 |
| ·不同退火温度BNKT 薄膜的压电特性测试 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 总结与展望 | 第53-55页 |
| 1 全文总结 | 第53-54页 |
| 2 工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第60页 |