高功率脉冲磁控溅射注入与沉积技术研究及CrN薄膜制备
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-21页 |
·课题背景及意义 | 第10-11页 |
·离子注入技术 | 第11-16页 |
·离子注入技术及其特点 | 第11-12页 |
·离子注入技术的发展 | 第12-14页 |
·离子注入技术的应用 | 第14-16页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术 | 第16-18页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术的发展 | 第16-17页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术的放电机制 | 第17-18页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术的放电等离子体成分 | 第18页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术放电离子能量的分布 | 第18页 |
·CrN 薄膜及其制备技术 | 第18-20页 |
·多弧离子镀技术 | 第19页 |
·反应磁控溅射技术 | 第19-20页 |
·本课题主要研究内容 | 第20-21页 |
第2章 实验材料与方法 | 第21-27页 |
·实验材料及试样制备 | 第21-22页 |
·实验材料 | 第21页 |
·试样制备 | 第21-22页 |
·实验设备 | 第22-23页 |
·实验研究 | 第23-24页 |
·高压清洗 | 第23页 |
·注入与沉积原理及工艺 | 第23-24页 |
·测试方法 | 第24-27页 |
·扫描电镜(SEM)分析 | 第24-25页 |
·原子力显微镜(AFM)观察 | 第25页 |
·X—射线衍射(XRD)分析 | 第25页 |
·膜层超显微硬度测试 | 第25页 |
·膜基结合力测试 | 第25页 |
·耐腐蚀性能测试 | 第25-26页 |
·摩擦磨损性能测试 | 第26-27页 |
第3章 等离子体放电特性研究 | 第27-38页 |
·等离子体放电典型波形 | 第27-28页 |
·靶脉冲平均电流的影响 | 第28-29页 |
·靶脉宽的影响 | 第29-30页 |
·频率的影响 | 第30-31页 |
·高压电压的影响 | 第31-32页 |
·高压脉宽的影响 | 第32-33页 |
·相位的影响 | 第33-35页 |
·气压的影响 | 第35-36页 |
·直流的影响 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第4章 高功率脉冲磁控溅射注入与沉积均匀性研究 | 第38-47页 |
·工艺参数 | 第38页 |
·表面形貌研究 | 第38-39页 |
·AFM 立体表面形貌及粗糙度研究 | 第39-41页 |
·截面形貌研究 | 第41-42页 |
·膜基结合力性能研究 | 第42-43页 |
·薄膜均匀性研究 | 第43-45页 |
·不同方法下膜厚均匀性对比 | 第43-44页 |
·不同靶间距下膜厚均匀性对比 | 第44-45页 |
·本章小结 | 第45-47页 |
第5章 高功率脉冲磁控溅射注入与沉积CrN 薄膜 | 第47-63页 |
·表面形貌分析 | 第47-48页 |
·XRD 相结构分析 | 第48-49页 |
·硬度测试分析 | 第49-52页 |
·膜基结合力测试分析 | 第52-54页 |
·摩擦磨损性能分析 | 第54-58页 |
·电化学腐蚀性能分析 | 第58-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
结论 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-69页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第69-71页 |
致谢 | 第71页 |