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氧化铜及掺铟氧化铜薄膜的磁控溅射制备及研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第11-17页
    1.1 研究背景及意义第11-12页
    1.2 CuO材料概述第12-13页
        1.2.1 CuO的结构第12页
        1.2.2 CuO的物理-化学性质第12页
        1.2.3 CuO的光电学性质第12页
        1.2.4 CuO的应用领域第12-13页
    1.3 CuO的研究现状第13-14页
    1.4 CuO掺杂的研究现状第14-15页
    1.5 选题依据及本论文研究的主要内容第15-17页
2 CuO薄膜的制备方法与表征手段第17-21页
    2.1 CuO薄膜的制备方法第17页
    2.2 实验所用材料及设备第17-18页
    2.3 CuO及CuO:In薄膜的表征手段第18-19页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第19页
        2.3.2 Raman光谱第19页
        2.3.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第19页
        2.3.4 紫外-可见分光光度计第19页
        2.3.5 霍尔测试第19页
    2.4 小结第19-21页
3 CuO薄膜的制备及表征第21-42页
    3.1 常温下氧氩比对CuO薄膜的影响第21-27页
        3.1.1 微结构第21-25页
        3.1.2 光学性质第25-26页
        3.1.3 电学性质第26-27页
    3.2 衬底温度为170℃时氧氩比对CuO薄膜的影响第27-31页
        3.2.1 微结构第28-30页
        3.2.2 光学性质第30-31页
    3.3 衬底温度对CuO薄膜的影响第31-38页
        3.3.1 微结构第32-35页
        3.3.2 光学性质第35-37页
        3.3.3 电学性质第37-38页
    3.4 钙钛矿太阳能电池的制备与研究第38-40页
    3.5 小结第40-42页
4 掺铟氧化铜(CuO:In)薄膜的制备与表征第42-67页
    4.1 室温下溅射功率对CuO:In薄膜的影响第42-49页
        4.1.1 微结构第42-45页
        4.1.2 光学性质第45-47页
        4.1.3 电学性质第47-49页
    4.2 反应气压对CuO:In薄膜的影响第49-54页
        4.2.1 微结构第49-52页
        4.2.2 光学性质第52-53页
        4.2.3 电学性质第53-54页
    4.3 氧氩比对CuO:In薄膜的影响第54-59页
        4.3.1 微结构第55-57页
        4.3.2 光学性质第57-58页
        4.3.3 电学性质第58-59页
    4.4 衬底温度对CuO:In薄膜的影响第59-65页
        4.4.1 微结构第60-63页
        4.4.2 光学性质第63-64页
        4.4.3 电学性质第64-65页
    4.5 小结第65-67页
5 工作总结与展望第67-70页
    5.1 工作总结第67-68页
    5.2 工作展望第68-70页
参考文献第70-75页
个人简历、硕士期间成果第75-76页
致谢第76页

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