| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 二维层状纳米材料 | 第9页 |
| 1.2 MoS_2的常用制备方法 | 第9-12页 |
| 1.3 二维MoS_2薄膜的应用 | 第12-14页 |
| 1.4 MoS_2TFT研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第15-17页 |
| 2 MoS_2的结构与性质以及表征方式 | 第17-25页 |
| 2.1 过渡族金属二硫化物MoS_2的结构与性质 | 第17-21页 |
| 2.2 MoS_2的表征方法 | 第21-25页 |
| 3 CVD法可控制备大面积MoS_2 | 第25-44页 |
| 3.1 单温区管式炉CVD系统的优化 | 第25-30页 |
| 3.2 影响CVD法制备大面积MoS_2的关键因素 | 第30-35页 |
| 3.3 工艺参数优化与分析 | 第35-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 基于二维MoS_2的薄膜晶体管研究 | 第44-51页 |
| 4.1 基于MoS_2/SiO_2底栅结构的TFT设计与制备 | 第44-46页 |
| 4.2 MoS_2TFT的输出特性与转移特性 | 第46-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 5 总结与展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第61页 |