| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第17-29页 |
| 1.1 太阳电池的研究背景及意义 | 第17-20页 |
| 1.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳电池 | 第20-27页 |
| 1.2.1 Cu_2ZnSnS_4材料的性能 | 第20-22页 |
| 1.2.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备方法 | 第22-24页 |
| 1.2.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池的国内外研究进展 | 第24-27页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验方法和原理 | 第29-35页 |
| 2.1 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 2.1.1 预制层的磁控溅射法制备 | 第29-30页 |
| 2.1.2 预制层的硫化以及硒化 | 第30页 |
| 2.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4太阳电池的制备 | 第30-32页 |
| 2.2.1 Mo背电极的制备 | 第31页 |
| 2.2.2 CdS缓冲层的制备 | 第31-32页 |
| 2.2.3 i-ZnO/ITO窗口层的制备 | 第32页 |
| 2.3 表征和测试方法 | 第32-34页 |
| 2.3.1 表征和测试仪器 | 第32-34页 |
| 2.3.2 带隙计算的原理 | 第34页 |
| 2.4 ANSYS有限元分析算法 | 第34-35页 |
| 第三章 Cu_2ZnSnS_4薄膜性能对元素比例的依赖性 | 第35-50页 |
| 3.1 前言 | 第35页 |
| 3.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备过程 | 第35-36页 |
| 3.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜性能对Cu靶功率的依赖性 | 第36-39页 |
| 3.4 Cu_2ZnSnS_4薄膜制备过程中衬底温度的优化 | 第39-43页 |
| 3.4.1 Cu-Zn-Sn-S预制层的结构与形貌分析 | 第39-40页 |
| 3.4.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜的结构与形貌分析 | 第40-43页 |
| 3.5 Cu_2ZnSnS_4薄膜性能对硫化工艺的依赖性 | 第43-49页 |
| 3.5.1 Cu_2ZnSnS_4薄膜性能对硫化温度的依赖性 | 第43-46页 |
| 3.5.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜性能对硫化时间的依赖性 | 第46-48页 |
| 3.5.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜的生长机理 | 第48页 |
| 3.5.4 Cu_2ZnSnS_4/CdS异质结太阳电池的制备与性能 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜对组份梯度的依赖性 | 第50-79页 |
| 4.1 前言 | 第50页 |
| 4.2 三层预制层及Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜的制备 | 第50-51页 |
| 4.3 预制层上下层中Zn含量的优化 | 第51-58页 |
| 4.4 Cu_2ZnSnS_4薄膜硫化工艺的优化与太阳电池性能 | 第58-64页 |
| 4.4.1 Cu_2ZnSnS_4薄膜硫化时间的优化与太阳电池性能 | 第58-61页 |
| 4.4.2 硫粉质量的优化与Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳电池性能 | 第61-64页 |
| 4.5 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜硒化工艺的优化与太阳电池性能 | 第64-77页 |
| 4.5.1 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜硒化温度的优化与太阳电池性能 | 第64-68页 |
| 4.5.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜硒化时间的优化与太阳电池性能 | 第68-72页 |
| 4.5.3 硒颗粒质量的优化与Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池性能 | 第72-77页 |
| 4.6 本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜的Ge掺杂与太阳电池性能研究 | 第79-99页 |
| 5.1 前言 | 第79页 |
| 5.2 Cu_2Zn(GexSn_(1-x))(S,Se)_4薄膜的制备与性能 | 第79-87页 |
| 5.2.1 Cu_2Zn(GexSn_(1-x))S4薄膜的制备 | 第79-80页 |
| 5.2.2 Cu_2Zn(GexSn_(1-x))S4薄膜的性能 | 第80-83页 |
| 5.2.3 Cu_2Zn(GexSn_(1-x))(S,Se)_4薄膜的性能 | 第83-87页 |
| 5.3 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及其太阳电池中Ge掺杂特性 | 第87-97页 |
| 5.3.1 Ge掺杂的Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜的制备 | 第87页 |
| 5.3.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及其太阳电池中Ge掺杂位置优化 | 第87-90页 |
| 5.3.3 Ge掺杂的Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜的制备机理探讨 | 第90-97页 |
| 5.4 本章小结 | 第97-99页 |
| 第六章 柔性Cu_2ZnSn(S,Se)_4太阳电池的制备和应力分析 | 第99-113页 |
| 6.1 前言 | 第99页 |
| 6.2 柔性Cu_2ZnSn(S,Se)_4太阳电池中衬底的选择 | 第99-102页 |
| 6.3 Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及其太阳电池中Ge过渡层的作用 | 第102-107页 |
| 6.4 柔性Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及其太阳电池中多孔结构衬底的作用 | 第107-111页 |
| 6.4.1 多孔结构衬底的制备 | 第107页 |
| 6.4.2 多孔结构衬底上制备Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及其太阳电池 | 第107-111页 |
| 6.5 本章小结 | 第111-113页 |
| 第七章 结论及展望 | 第113-116页 |
| 7.1 结论 | 第113-114页 |
| 7.2 主要创新点 | 第114页 |
| 7.3 展望 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第127-129页 |
