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限域条件下分子自组装及表面辅助反应的STM研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-29页
    1.1 纳米科学技术第10-11页
    1.2 分子自组装第11-24页
        1.2.1 分子自组装概述第11-12页
        1.2.2 分子自组装的驱动力第12-18页
        1.2.3 影响分子自组装的外部因素第18-24页
    1.3 表面化学反应第24-27页
        1.3.1 表面化学反应概述第24页
        1.3.2 表面化学反应的激发模式第24-27页
    1.4 论文的选题依据及意义第27-29页
第二章 实验方法第29-38页
    2.1 扫描隧道显微镜(STM)及原理第29-31页
        2.1.1 扫描隧道显微镜简介第29页
        2.1.2 扫描隧道显微镜原理第29-31页
    2.2 实验装置及方法简介第31-38页
        2.2.1 扫描隧道显微镜装置第31-34页
        2.2.2 电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)装置第34-35页
        2.2.3 基底的制备与清洁第35-37页
        2.2.4 自组装单层膜的制备第37-38页
第三章 双硒系列分子的自组装及表面化学反应第38-45页
    3.1 引言第38页
    3.2 实验方法第38-40页
    3.3 结果与讨论第40-44页
        3.3.1 双硒系列分子的自组装结构第40页
        3.3.2 双硒系列分子间的交换反应第40-42页
        3.3.3 CC分子在表面的氧化反应第42-44页
    3.4 总结第44-45页
第四章 非手性分子的表面手性组装及手性调控第45-52页
    4.1 引言第45-46页
    4.2 实验方法第46-47页
    4.3 结果与讨论第47-50页
        4.3.1 超高真空中13DB与12DB自组装结构第47页
        4.3.2 十四烷/Au(111)界面13DB与12DB自组装结构对比第47-48页
        4.3.3 DB系列分子在HOPG表面自组装结构第48-50页
        4.3.4 13DB自组装结构的手性调控第50页
    4.4 总结第50-52页
第五章 18,19-二乙烯基-三十八烷在不同基底上的自组装及化学反应第52-59页
    5.1 引言第52页
    5.2 实验方法第52-53页
    5.3 结果与讨论第53-58页
        5.3.1 DMO分子在辛苯/HOPG界面的自组装结构及相转变第53-55页
        5.3.2 DMO分子在Au(111)表面的自组装及化学反应第55-56页
        5.3.3 DMO分子在Au(110)表面的自组装及化学反应第56-58页
    5.4 总结第58-59页
第六章 电势诱导的N-异丁酰基-L-半胱氨酸分子在金(111)表面的相转变第59-66页
    6.1 引言第59页
    6.2 实验方法第59-60页
    6.3 结果与讨论第60-65页
        6.3.1 NIBC的α相自组装结构及其相变过程第60-62页
        6.3.2 NIBC的β相自组装结构及其相变过程第62-64页
        6.3.3 相变过程的理论计算第64-65页
    6.4 结论第65-66页
第七章 结论第66-68页
参考文献第68-81页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第81-82页
致谢第82-83页

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