| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 体硅器件面临的问题 | 第12-13页 |
| 1.2 SOI技术 | 第13-16页 |
| 1.3 光电探测器 | 第16-17页 |
| 1.4 透明光栅 | 第17-18页 |
| 1.5 SILVACO软件 | 第18-22页 |
| 1.6 论文研究意义与主要内容 | 第22-24页 |
| 第2章 器件结构分析 | 第24-37页 |
| 2.1 光的吸收、反射和传输 | 第24-27页 |
| 2.2 PIN型光电二极管 | 第27-28页 |
| 2.3 横向PIN型光电二极管 | 第28-29页 |
| 2.4 双极型场效应晶体管 | 第29-32页 |
| 2.5 透明栅控横向PIN光电探测器 | 第32-35页 |
| 2.5.1 SOI LPIN PD-GTE结构和工作原理 | 第32-33页 |
| 2.5.2 SOI LPIN PD-GTE光电特性 | 第33-35页 |
| 2.6 本章总结 | 第35-37页 |
| 第3章 SOI LPIN PD-GTE频率特性物理模型 | 第37-46页 |
| 3.1 PIN型光电二极管的带宽 | 第37页 |
| 3.2 全耗尽型横向PIN型光电二极管的交流分析模型 | 第37-40页 |
| 3.2.1 基本半导体器件分析方程 | 第37-39页 |
| 3.2.2 假设与化简 | 第39-40页 |
| 3.3 载流子漂移 | 第40-42页 |
| 3.4 载流子扩散 | 第42-43页 |
| 3.5 器件频率特性仿真方法 | 第43-45页 |
| 3.6 本章总结 | 第45-46页 |
| 第4章 温度变化下SOI LPIN PD-GTE频率特性 | 第46-52页 |
| 4.1 入射光波长变化下的频率特性 | 第46-48页 |
| 4.2 掺杂浓度变化下的频率响应 | 第48-50页 |
| 4.3 本征区长度变化下的频率特性 | 第50-51页 |
| 4.4 本章总结 | 第51-52页 |
| 第5章 入射波长变化下SOI LPIN PD-GTE频率特性 | 第52-60页 |
| 5.1 栅极电压变化下频率特性 | 第52-53页 |
| 5.2 掺杂浓度变化下频率特性 | 第53-56页 |
| 5.3 本征区长度变化下频率特性 | 第56-57页 |
| 5.4 温度变化下频率特性 | 第57-58页 |
| 5.5 本章总结 | 第58-60页 |
| 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 附录A 攻读学位期间完成的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
