| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO的晶体结构和性质 | 第12-13页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第12页 |
| 1.2.2 ZnO的能带结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 ZnO的电学和光学特性 | 第13页 |
| 1.3 ZnO的本征缺陷和掺杂 | 第13-15页 |
| 1.3.1 ZnO的本征缺陷 | 第13-14页 |
| 1.3.2 ZnO的n型掺杂 | 第14页 |
| 1.3.3 ZnO的p型掺杂 | 第14-15页 |
| 1.4 ZnO的应用 | 第15页 |
| 1.5 肖特基二极管的基本简介 | 第15-18页 |
| 1.5.1 金属和半导体的功函数 | 第15-16页 |
| 1.5.2 金属－半导体的肖特基接触和欧姆接触 | 第16-18页 |
| 1.6 薄膜晶体管的基本介绍 | 第18-22页 |
| 1.6.1 薄膜晶体管的分类 | 第18-19页 |
| 1.6.2 薄膜晶体管的结构 | 第19-20页 |
| 1.6.3 薄膜晶体管的工作原理和性能参数 | 第20-22页 |
| 1.7 本论文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 薄膜制备技术及表征方法 | 第27-33页 |
| 2.1 常用的制备薄膜的方法 | 第27-29页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第27-28页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积 | 第28-29页 |
| 2.1.3 分子束外延 | 第29页 |
| 2.1.4 溶胶凝胶法 | 第29页 |
| 2.1.5 金属有机物化合物气相沉积 | 第29页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第29-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第29-30页 |
| 2.2.2 紫外可见分光光度仪 | 第30页 |
| 2.2.3 Keithley 4200半导体特性分析 | 第30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备与特性研究 | 第33-39页 |
| 3.1 ITO衬底的清洗 | 第33页 |
| 3.2 ZnO靶材的制备 | 第33-34页 |
| 3.3 ZnO薄膜的制备 | 第34-35页 |
| 3.4 ZnO薄膜的表征 | 第35-36页 |
| 3.4.1 XRD分析 | 第35页 |
| 3.4.2 光学透过率分析 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第四章 ZnO肖特基二极管的制备和电学性能表征 | 第39-57页 |
| 4.1 光照对ZnO肖特基二极管的电学性能影响 | 第39-46页 |
| 4.1.1 实验简介 | 第39页 |
| 4.1.2 研究背景 | 第39-40页 |
| 4.1.3 实验过程 | 第40页 |
| 4.1.4 实验结果探讨 | 第40-45页 |
| 4.1.5 结论 | 第45-46页 |
| 4.2 温度对ZnO肖特基二极管的电学性能影响 | 第46-52页 |
| 4.2.1 实验简介 | 第46页 |
| 4.2.2 实验背景 | 第46页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第46-47页 |
| 4.2.4 实验结果探讨 | 第47-52页 |
| 4.2.5 结论 | 第52页 |
| 4.3 基于ZnO的肖特基栅晶体管的制备与性能测试 | 第52-53页 |
| 4.3.1 基于ZnO的肖特基栅晶体管的制备流程 | 第52-53页 |
| 4.3.2 基于ZnO的肖特基栅晶体管的电学性能 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第五章 In掺杂ZnO薄膜晶体管的制备和电学性能表征 | 第57-69页 |
| 5.1 IZO靶材制备 | 第57页 |
| 5.2 IZO薄膜晶体管的制备 | 第57-58页 |
| 5.3 不同方法制备的IZO薄膜晶体管的电学性能 | 第58-62页 |
| 5.3.1 电学性能的测试 | 第58-59页 |
| 5.3.2 薄膜晶体管的电学性能 | 第59-62页 |
| 5.4 退火对IZO薄膜晶体管电学性能的影响 | 第62-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
