| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 课题背景介绍 | 第13页 |
| 1.2 积累二维电子气的研究进展 | 第13-19页 |
| 1.2.1 积累电子气的理论 | 第14-15页 |
| 1.2.2 积累电子气的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3 积累电子气调控的相关应用 | 第19-28页 |
| 1.3.1 电光调制 | 第20-23页 |
| 1.3.2 可调谐吸收 | 第23-24页 |
| 1.3.3 等离子体调制 | 第24-26页 |
| 1.3.4 ENZ模式调制 | 第26-28页 |
| 1.4 本文的主要研究内容和意义 | 第28-30页 |
| 第2章 钾钠铌酸锶钡晶体光折变现象的调控 | 第30-48页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 钾钠铌酸锶钡晶体的基本性质 | 第30-36页 |
| 2.2.1 光折变性能 | 第31-33页 |
| 2.2.2 压电性质 | 第33-35页 |
| 2.2.3 光致电荷积累 | 第35-36页 |
| 2.3 光折变现象的调控 | 第36-42页 |
| 2.3.1 二波耦合实验 | 第36-38页 |
| 2.3.2 光栅读取实验 | 第38-40页 |
| 2.3.3 光折变现象的增强 | 第40-42页 |
| 2.4 光折变现象增强的机理分析 | 第42-46页 |
| 2.4.1 空间电荷场的增强 | 第43页 |
| 2.4.2 表面等离激元的激发 | 第43-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第3章 氧化铟锡薄膜介电常数的调控 | 第48-64页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 电荷积累层介电常数实部的测量 | 第48-55页 |
| 3.2.1 氧化铟锡薄膜的制备和基本性质 | 第48-49页 |
| 3.2.2 测量的实验过程 | 第49-50页 |
| 3.2.3 测量结果的处理 | 第50-55页 |
| 3.3 电荷积累层介电常数实部的调控及电子的积累情况 | 第55-61页 |
| 3.3.1 施加外电压的时间产生的影响 | 第55-58页 |
| 3.3.2 外电压的强度产生的影响 | 第58-61页 |
| 3.4 电荷积累层介电常数虚部的调控 | 第61-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 单层石墨烯面电导率的调控及相关传输矩阵算法 | 第64-80页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 石墨烯的基本性质 | 第64-65页 |
| 4.3 单层石墨烯的面电导率调控 | 第65-67页 |
| 4.3.1 单层石墨烯的面电导率 | 第65页 |
| 4.3.2 积累电子气对单层石墨烯面电导率的调控 | 第65-67页 |
| 4.4 超薄层的传输矩阵法 | 第67-70页 |
| 4.4.1 超薄层的透射矩阵 | 第67-69页 |
| 4.4.2 多层结构的传输矩阵法 | 第69-70页 |
| 4.5 多层调控结构的光学传输性质 | 第70-78页 |
| 4.5.1 双层积累电子气结构的光学传输性质 | 第71-73页 |
| 4.5.2 多层积累电子气结构的光学传输性质 | 第73-78页 |
| 4.6 本章小结 | 第78-80页 |
| 第5章 积累电子气在塔姆结构中的应用 | 第80-97页 |
| 5.1 引言 | 第80页 |
| 5.2 塔姆等离激元 | 第80-82页 |
| 5.3 基于氧化铟锡薄膜调控层的可调谐完美吸收器 | 第82-90页 |
| 5.3.1 完美吸收器的结构设计 | 第82-84页 |
| 5.3.2 完美吸收器的可调谐光学传输特性 | 第84-88页 |
| 5.3.3 完美吸收器的自修复特性 | 第88-90页 |
| 5.4 基于单层石墨烯调控层的可调谐光学滤波器 | 第90-96页 |
| 5.4.1 滤波器的结构设计 | 第90-91页 |
| 5.4.2 滤波器的可调谐光学传输特性 | 第91-96页 |
| 5.5 本章小结 | 第96-97页 |
| 结论 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第113-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 个人简历 | 第117页 |