| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 碳化硅器件的优势和面临的挑战 | 第10-11页 |
| 1.3 功率开关器件建模研究现状 | 第11-14页 |
| 1.4 电机驱动系统电磁兼容研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 碳化硅MOSFET行为模型研究 | 第16-40页 |
| 2.1 理想状态下碳化硅MOSFET开关过程分析 | 第16-21页 |
| 2.1.1 开通延时阶段 | 第17-18页 |
| 2.1.2 电流上升阶段 | 第18页 |
| 2.1.3 电压下降阶段 | 第18-19页 |
| 2.1.4 栅源极电压上升阶段 | 第19页 |
| 2.1.5 关断延迟阶段 | 第19页 |
| 2.1.6 电压上升阶段 | 第19-20页 |
| 2.1.7 电流下降阶段 | 第20页 |
| 2.1.8 栅源极电压下降阶段 | 第20-21页 |
| 2.2 非理想状态下碳化硅MOSFET开通关断过程分析 | 第21-31页 |
| 2.2.1 非理想状态下的MOSFET双脉冲测试电路 | 第21-22页 |
| 2.2.2 碳化硅MOSFET开通过程分析 | 第22-27页 |
| 2.2.3 碳化硅MOSFET关断过程分析 | 第27-30页 |
| 2.2.4 非线性电容建模 | 第30-31页 |
| 2.3 碳化硅MOSFET开关行为模型的实现 | 第31-33页 |
| 2.4 实验平台搭建以及模型验证 | 第33-39页 |
| 2.4.1 实验平台及环境介绍 | 第33-35页 |
| 2.4.2 实验结果分析 | 第35-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 基于碳化硅MOSFET永磁同步电机驱动系统设计 | 第40-55页 |
| 3.1 硬件系统设计 | 第40-45页 |
| 3.1.1 硬件总体设计方案 | 第40-41页 |
| 3.1.2 电源模块设计 | 第41-42页 |
| 3.1.3 MOSFET驱动模块设计 | 第42-45页 |
| 3.2 电机驱动算法设计及实现 | 第45-49页 |
| 3.2.1 基本电压空间矢量 | 第46-47页 |
| 3.2.2 空间电压矢量的合成 | 第47-49页 |
| 3.3 软件系统设计 | 第49-54页 |
| 3.3.1 底层驱动层 | 第50页 |
| 3.3.2 设备驱动层 | 第50页 |
| 3.3.3 应用函数层 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 碳化硅MOSFET永磁同步电机驱动系统电磁兼容研究 | 第55-72页 |
| 4.0 碳化硅MOSFET开关行为与系统共模EMI之间的关系 | 第55-58页 |
| 4.1 SVPWM驱动谐波分析 | 第58-62页 |
| 4.2 仿真及结果分析 | 第62-64页 |
| 4.3 电机驱动系统共模电压频谱分析 | 第64-65页 |
| 4.4 实验验证及分析 | 第65-71页 |
| 4.4.1 开关时间对电机驱动系统共模EMI的影响 | 第66-67页 |
| 4.4.2 开关频率对电机驱动系统共模EMI的影响 | 第67-68页 |
| 4.4.3 母线电压对电机驱动系统共模EMI的影响 | 第68页 |
| 4.4.4 电流对电机驱动系统共模EMI的影响 | 第68-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结和展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78页 |
