| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景 | 第10页 |
| 1.2 TC4 钛合金与C/SiC复合材料焊接性分析 | 第10-11页 |
| 1.3 C/SiC复合材料连接的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3.1 钎焊连接技术 | 第11-13页 |
| 1.3.2 扩散焊连接技术 | 第13页 |
| 1.3.3 先驱体连接技术 | 第13-14页 |
| 1.4 金属/陶瓷焊接残余应力的控制 | 第14-17页 |
| 1.4.1 单层中间层 | 第14-15页 |
| 1.4.2 复合中间层 | 第15页 |
| 1.4.3 互穿网络中间层 | 第15-17页 |
| 1.5 多孔陶瓷中间层的研究现状 | 第17页 |
| 1.6 置氢TC4 中间层的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.6.1 置氢TC4 的特点与发展 | 第17-18页 |
| 1.6.2 置氢TC4 的连接现状 | 第18-19页 |
| 1.7 本文主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第20-25页 |
| 2.1 试验材料 | 第20-21页 |
| 2.1.1 母材 | 第20-21页 |
| 2.1.2 中间层材料 | 第21页 |
| 2.2 试验设备及工艺 | 第21-23页 |
| 2.2.1 钎焊设备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 试验工艺 | 第22-23页 |
| 2.3 微观组织分析及性能测试 | 第23-25页 |
| 2.3.1 微观组织分析 | 第23页 |
| 2.3.2 力学性能测试 | 第23-25页 |
| 第3章 AgCu/SiC多孔陶瓷/AgCuTi复合中间层钎焊TC4 和C/SiC | 第25-40页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 典型界面结构分析 | 第25-28页 |
| 3.3 工艺参数对接头界面影响规律 | 第28-32页 |
| 3.3.1 钎焊温度对接头界面的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.2 保温时间对接头界面的影响 | 第31-32页 |
| 3.4 TC4 钛合金/C/Si C复合材料接头性能分析 | 第32-35页 |
| 3.4.1 工艺参数对接头力学性能影响 | 第32-33页 |
| 3.4.2 接头断裂路径分析 | 第33-35页 |
| 3.5 钎焊机理研究 | 第35-39页 |
| 3.5.1 界面形成过程 | 第35-37页 |
| 3.5.2 SiC多孔陶瓷中间层对接头残余应力的影响 | 第37-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 AgCu/置氢TC4/ AgCu复合中间层钎焊TC4 和C/Si C | 第40-56页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 典型界面分析 | 第40-43页 |
| 4.3 工艺参数对接头界面影响规律 | 第43-47页 |
| 4.3.1 钎焊温度对接头界面微观组织的影响 | 第43-46页 |
| 4.3.2 保温时间对接头界面的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 置氢TC4 中间层中氢含量对接头界面的影响 | 第47-49页 |
| 4.5 TC4 钛合金/C/Si C复合材料接头性能分析 | 第49-52页 |
| 4.5.1 TC4 钛合金/C/SiC复合材料接头力学性能 | 第49-50页 |
| 4.5.2 接头断裂路径分析 | 第50-52页 |
| 4.6 钎焊机理研究 | 第52-54页 |
| 4.6.1 置氢TC4 钛合金放氢特性 | 第53-54页 |
| 4.6.2 置氢TC4 钛合金改善钎焊连接性分析 | 第54页 |
| 4.7 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 AgCu/Si C多孔陶瓷/AgCu/置氢TC4/AgCu复合中间层钎焊TC4 和C/SiC | 第56-64页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 典型界面分析 | 第56-59页 |
| 5.3 工艺参数对接头界面影响规律 | 第59-61页 |
| 5.4 TC4/SiC多孔陶瓷/置氢TC4/C/SiC复合材料接头性能分析 | 第61-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
