| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-35页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 非易失性存储器现状 | 第11-16页 |
| 1.3 忆阻器简介 | 第16-20页 |
| 1.4 忆阻器的研究进展 | 第20-23页 |
| 1.5 常见的忆阻机制 | 第23-33页 |
| 1.6 本文选题意义及研究内容 | 第33-35页 |
| 2 硫系化合物忆阻器制备工艺与测试方法 | 第35-41页 |
| 2.1 硫系化合物忆阻器制备工艺 | 第35-39页 |
| 2.2 忆阻器测试方法及系统 | 第39-41页 |
| 3 Ge_2Sb_2Te_5忆阻器在非晶态下的忆阻特性研究 | 第41-59页 |
| 3.1 引言 | 第41-43页 |
| 3.2 Ge_2Sb_2Te_5忆阻器原型器件的制备与薄膜表征 | 第43-46页 |
| 3.3 基于非活性电极的Ge_2Sb_2Te_5忆阻器原型器件 | 第46-51页 |
| 3.4 采用活性Ag电极的Ge_2Sb_2Te_5忆阻器原型器件 | 第51-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 4 Ag_5In_5Sb_(60)Te_(30)忆阻器的电阻调控研究 | 第59-80页 |
| 4.1 引言 | 第59-61页 |
| 4.2 Ag_5In_5Sb_(60)Te_(30)忆阻器原型器件的制备与薄膜表征 | 第61-63页 |
| 4.3 AgInSbTe忆阻器的直流Ⅰ-Ⅴ特性研究 | 第63-65页 |
| 4.4 AgInSbTe忆阻器的阻变机制 | 第65-69页 |
| 4.5 AgInSbTe忆阻器的电阻调控特性 | 第69-73页 |
| 4.6 同一器件中单极性和双极性阻变模式的共存 | 第73-78页 |
| 4.7 本章小结 | 第78-80页 |
| 5 Sb_2Te_3忆阻器原型器件特性研究 | 第80-96页 |
| 5.1 引言 | 第80-82页 |
| 5.2 Sb_2Te_3忆阻器原型器件的制备和薄膜表征 | 第82-84页 |
| 5.3 Sb_2Te_3忆阻器原型器件的直流Ⅰ-Ⅴ特性 | 第84-89页 |
| 5.4 Sb_2Te_3忆阻器在脉冲激励下的电学特性 | 第89-91页 |
| 5.5 Sb_2Te_3忆阻器原型器件的阻变机制 | 第91-94页 |
| 5.6 本章小结 | 第94-96页 |
| 6 结论与展望 | 第96-100页 |
| 6.1 结论 | 第96-98页 |
| 6.2 下一步研究展望 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-118页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第118-119页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第119页 |
