InAs/GaSb薄膜及器件特性研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 红外探测器的发展 | 第10-14页 |
| 1.2 红外探测器应用和分类 | 第14-18页 |
| 1.3 光伏探测器原理 | 第18-20页 |
| 1.4 超晶格材料研究背景及意义 | 第20-23页 |
| 1.5 超晶格红外探测器的研究现状 | 第23-29页 |
| 1.5.1 超晶格探测器研究现状 | 第23-25页 |
| 1.5.2 超晶格单色焦平面探测器研究现状 | 第25-26页 |
| 1.5.3 超晶格双色焦平面探测器研究现状 | 第26-28页 |
| 1.5.4 我国红外探测器研究现状 | 第28-29页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第29-30页 |
| 第2章 实验设备与探测器制备 | 第30-42页 |
| 2.1 分子束外延系统 | 第30-33页 |
| 2.1.1 MBE 的结构 | 第31-32页 |
| 2.1.2 MBE 所使用的分子束源 | 第32-33页 |
| 2.1.3 原位监控系统 | 第33页 |
| 2.2 材料表征系统 | 第33-35页 |
| 2.3 红外探测器制备 | 第35-40页 |
| 2.3.1 单元探测器制备流程 | 第35-37页 |
| 2.3.2 焦平面探测器制备 | 第37-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第3章 InAs/GaSb 超晶格材料生长 | 第42-60页 |
| 3.1 引言 | 第42-44页 |
| 3.2 GaSb 衬底的表面清洗 | 第44-45页 |
| 3.3 InAs/GaSb 超晶格的生长温度 | 第45-47页 |
| 3.4 生长过程中的界面控制 | 第47-50页 |
| 3.4.1 生长中断法 | 第49-50页 |
| 3.4.2 表面迁移增强外延法 | 第50页 |
| 3.5 InAs/GaSb 超晶格的生长速率 | 第50-52页 |
| 3.6 中波超晶格红外材料生长 | 第52-56页 |
| 3.7 短波超晶格红外材料生长 | 第56-58页 |
| 3.8 本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 InAs/GaSb 超晶格台面腐蚀研究 | 第60-72页 |
| 4.1 超晶格材料的湿法腐蚀 | 第60-66页 |
| 4.1.1 酒石酸系腐蚀液 | 第61-63页 |
| 4.1.2 磷酸系腐蚀液 | 第63-66页 |
| 4.2 超晶格材料的干法刻蚀技术 | 第66-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第5章 InAs/GaSb 超晶格器件钝化研究 | 第72-88页 |
| 5.1 超晶格的钝化方法 | 第72-75页 |
| 5.1.1 阳极硫化和阳极氧化 | 第73页 |
| 5.1.2 (NH4)2S 化学钝化 | 第73-74页 |
| 5.1.3 阳极氟化 | 第74页 |
| 5.1.4 生长二氧化硅 | 第74页 |
| 5.1.5 沉积硫化锌 | 第74-75页 |
| 5.2 测试结果与分析 | 第75-87页 |
| 5.2.1 不同钝化方法 I-V 测试结果 | 第75-79页 |
| 5.2.2 不同钝化方法 C-V 测试结果 | 第79-82页 |
| 5.2.3 不同面元测试结果 | 第82-86页 |
| 5.2.4 阳极氟化加 ZnS 钝化结果 | 第86-87页 |
| 5.3 本章小结 | 第87-88页 |
| 第6章 InAs/GaSb 超晶格探测器性能分析 | 第88-94页 |
| 6.1 中波探测器 | 第88-91页 |
| 6.2 短波探测器 | 第91-92页 |
| 6.3 本章小结 | 第92-94页 |
| 结论 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-112页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
