| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN材料特性 | 第12-13页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT器件国内外的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT的工作原理及关键工艺 | 第17-30页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第17-19页 |
| 2.1.2 2DEG的形成 | 第19-20页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT的关键工艺 | 第21-29页 |
| 2.2.1 器件隔离 | 第21-23页 |
| 2.2.2 欧姆金属的制作 | 第23-24页 |
| 2.2.3 肖特基金属的制备 | 第24页 |
| 2.2.4 增强型沟道的实现方式 | 第24-28页 |
| 2.2.5 表面钝化技术 | 第28-29页 |
| 2.3 本章总结 | 第29-30页 |
| 第三章 复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT研究 | 第30-47页 |
| 3.1 复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT | 第31-41页 |
| 3.1.1 氟离子对AlGaN/GaN异质结的能带调制作用 | 第31-32页 |
| 3.1.2 HCE-HEMT的提出 | 第32-34页 |
| 3.1.3 HCE-HEMT器件结构与工作原理 | 第34页 |
| 3.1.4 HCE-HEMT器件的开启特性 | 第34-36页 |
| 3.1.5 HCE-HEMT器件的栅开启特性 | 第36-37页 |
| 3.1.6 HCE-HEMT参数的优化 | 第37-40页 |
| 3.1.7 HCE-HEMT与CE-HEMT器件性能对比 | 第40-41页 |
| 3.2 基于RESURF原理的HCER-HEMT | 第41-45页 |
| 3.2.1 RESURF原理的介绍 | 第41-42页 |
| 3.2.2 HCER-HEMT的器件结构 | 第42-43页 |
| 3.2.3 HCER-HEMT的仿真与优化 | 第43-45页 |
| 3.3 本章总结 | 第45-47页 |
| 第四章 AlGaN/GaN SBD制作工艺及特性分析 | 第47-60页 |
| 4.1 GaN肖特基二极管简介 | 第47-48页 |
| 4.2 AlGaN/GaN SBD制作 | 第48-55页 |
| 4.2.1 AlGaN/GaN SBD的关键工艺技术 | 第48-54页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaN SBD的制作工艺流程 | 第54-55页 |
| 4.3 AlGaN/GaN SBD正向导通特性测试 | 第55-57页 |
| 4.4 AlGaN/GaN SBD反向漏电的测试 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
