| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 单层透明导电薄膜 | 第10-15页 |
| 1.2.1 金属透明导电薄膜 | 第10-11页 |
| 1.2.2 掺杂 ZnO 透明导电薄膜 | 第11-15页 |
| 1.3 多层结构透明导电薄膜 | 第15-17页 |
| 1.3.1 双层结构透明导电薄膜 | 第15-16页 |
| 1.3.2 TCO/metal/TCO 结构透明导电薄膜 | 第16-17页 |
| 1.4 本课题的研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 第2章 H2对 GZO 和 Cu 薄膜透明导电性能的影响 | 第19-29页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 薄膜的制备及检测方法 | 第19-21页 |
| 2.2.1 薄膜的制备方法及其原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 薄膜厚度的表征 | 第20页 |
| 2.2.3 薄膜光学性能的测试方法 | 第20-21页 |
| 2.2.4 薄膜电学性能的测试方法 | 第21页 |
| 2.3 薄膜制备工艺参数 | 第21-22页 |
| 2.4 实验结果与分析 | 第22-27页 |
| 2.4.1 H 掺杂 GZO 薄膜（HGZO）的透明导电性能 | 第22-25页 |
| 2.4.2 H 掺杂 Cu 薄膜（HCu）的透明导电性能 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 氢化 GZO/Cu/GZO 多层薄膜透明导电性能 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 薄膜制备工艺参数 | 第29-31页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第31-37页 |
| 3.3.1 Cu 层厚度对 GZO/Cu/GZO 多层薄膜性能的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.2 GZO 层厚度对 GZO/Cu/GZO 多层薄膜性能的影响 | 第34-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 退火处理对 GZO/HGZO 薄膜透明导电性能的影响 | 第38-45页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 薄膜制备与退火处理工艺参数 | 第38-39页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第39-43页 |
| 4.3.1 真空度对退火处理 GZO/HGZO 薄膜的透明导电性能影响 | 第39-41页 |
| 4.3.2 退火时间对 GZO/HGZO 薄膜的透明导电性能的影响 | 第41-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 全文总结 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第53页 |
