| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第11-12页 |
| 1.2.1 超结MOSFET国内外发展现状 | 第11页 |
| 1.2.2 抗辐射器件国内外发展现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 超结MOSFET的基本理论及其辐射理论简介 | 第14-28页 |
| 2.1 超结结构的基本理论 | 第14-17页 |
| 2.2 超结MOSFET的结构和工作原理 | 第17-21页 |
| 2.2.1 超结MOSFET的结构 | 第17-20页 |
| 2.2.2 超结MOSFET的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 超结MOSFET的主要参数 | 第21-24页 |
| 2.3.1 源漏击穿电压 | 第21页 |
| 2.3.2 导通电阻 | 第21-23页 |
| 2.3.3 阈值电压 | 第23-24页 |
| 2.4 超结MOSFET的辐射损伤机理 | 第24-26页 |
| 2.4.1 辐射环境简介 | 第24-26页 |
| 2.4.2 辐射效应 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 超结MOSFET的总剂量辐射效应分析 | 第28-52页 |
| 3.1 超结MOSFET的总剂量辐射损伤机理 | 第28页 |
| 3.2 总剂量辐射仿真 | 第28-42页 |
| 3.2.1 仿真软件简介 | 第28-29页 |
| 3.2.2 元胞总剂量辐射仿真 | 第29-37页 |
| 3.2.2.1 辐射前电学参数仿真 | 第29-33页 |
| 3.2.2.2 辐射后电学参数仿真 | 第33-37页 |
| 3.2.3 终端总剂量辐射仿真 | 第37-42页 |
| 3.2.3.1 辐射前击穿电压仿真 | 第37-39页 |
| 3.2.3.2 辐射后电学参数仿真 | 第39-42页 |
| 3.3 总剂量辐射实验 | 第42-48页 |
| 3.3.1 总剂量辐射的辐射源 | 第42页 |
| 3.3.2 总剂量实验测试方法 | 第42-43页 |
| 3.3.3 总剂量辐射实验结果 | 第43-47页 |
| 3.3.4 仿真与实验结果对比 | 第47-48页 |
| 3.4 总剂量辐射加固方法 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 超结MOSFET的单粒子辐射效应分析 | 第52-63页 |
| 4.1 超结MOSFET的单粒子辐射损伤机理 | 第52-53页 |
| 4.2 单粒子辐射仿真 | 第53-59页 |
| 4.2.1 单粒子辐射仿真方法 | 第53-54页 |
| 4.2.2 超结MOSFET不同入射位置的抗辐射能力 | 第54-59页 |
| 4.3 单粒子辐射加固方法 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第63-64页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |