摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-40页 |
1.1 序言 | 第12-13页 |
1.2 拓扑绝缘体 | 第13-21页 |
1.2.1 量子霍尔效应 | 第13-15页 |
1.2.2 量子自旋霍尔效应 | 第15-16页 |
1.2.3 二维拓扑绝缘体 | 第16-19页 |
1.2.4 三维拓扑绝缘体 | 第19-21页 |
1.3 拓扑半金属 | 第21-27页 |
1.3.1 Dirac半金属 | 第21-23页 |
1.3.2 Weyl半金属 | 第23-27页 |
1.4 磁阻效应 | 第27-33页 |
1.4.1 正常磁阻效应 | 第27-28页 |
1.4.2 各向异性的磁电阻效应 | 第28-29页 |
1.4.3 巨磁电阻效应 | 第29-30页 |
1.4.4 庞磁电阻效应 | 第30-32页 |
1.4.5 极大磁电阻效应 | 第32-33页 |
参考文献 | 第33-40页 |
第2章 Ⅱ类外尔半金属WTe_2研究进展 | 第40-57页 |
2.1 引言 | 第40-41页 |
2.2 磁输运 | 第41-45页 |
2.2.1 WTe_2不饱和的巨大正磁阻 | 第41-42页 |
2.2.2 两能带模型 | 第42页 |
2.2.3 角分辨光电子谱(ARPES) | 第42-43页 |
2.2.4 量子振荡 | 第43-44页 |
2.2.5 电子空穴补偿效应 | 第44页 |
2.2.6 WTe_2器件中的磁阻和门电压调控 | 第44-45页 |
2.3 压力诱导的相变 | 第45-47页 |
2.3.1 压力诱导超导 | 第45-46页 |
2.3.2 高压下结构变化 | 第46-47页 |
2.4 WTe_2中非平庸的拓扑态 | 第47-51页 |
2.4.1 Ⅱ类外尔半金属态 | 第47-48页 |
2.4.2 WTe_2和Mo_(1-x)Te_2中的费米弧 | 第48页 |
2.4.3 外尔点 | 第48-50页 |
2.4.4 单层WTe_2中的二维拓扑绝缘体态 | 第50-51页 |
小结 | 第51页 |
参考文献 | 第51-57页 |
第3章 非化学计量比对WTe_2中巨磁阻的影响 | 第57-68页 |
3.1 引言 | 第57-58页 |
3.2 样品制备与实验测量 | 第58-59页 |
3.3 实验结果和分析 | 第59-65页 |
3.3.1 样品的晶体结构和化学组分分析 | 第59页 |
3.3.2 电阻输运性质的研究 | 第59-65页 |
3.4 本章小结 | 第65页 |
参考文献 | 第65-68页 |
第4章 Ⅱ类外尔半金属WTe_2平面霍尔效应研究 | 第68-78页 |
4.1 引言 | 第68-69页 |
4.2 样品制备与实验测量 | 第69页 |
4.3 实验结果和分析 | 第69-74页 |
4.4 本章小结 | 第74页 |
参考文献 | 第74-78页 |
第5章 层状过渡金属硫代亚磷酸盐材料的磁性研究 | 第78-85页 |
5.1 引言 | 第78-79页 |
5.2 实验方法 | 第79页 |
5.3 结果与讨论 | 第79-82页 |
5.3.1 MPS_3单晶样品的成分与结构表征 | 第79-81页 |
5.3.2 MPS_3单晶样品的磁性测量 | 第81-82页 |
5.4 本章小结 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-85页 |
总结与展望 | 第85-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第88页 |