低压LDMOS器件及高压新结构的研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 功率半导体器件发展概述 | 第9-11页 |
| 1.2 功率MOSFET研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 纵向功率MOSFET的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 横向功率MOSFET的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 提高LDMOS耐压的关键技术研究 | 第16-26页 |
| 2.1 降低表面场技术 | 第16-22页 |
| 2.2 降低体内场技术 | 第22-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 60V低压LDMOS设计及实现 | 第26-41页 |
| 3.1 器件结构及工艺实现 | 第26-28页 |
| 3.2 60V低压LDMOS结构参数设计及优化 | 第28-39页 |
| 3.2.1 N型埋层参数优化 | 第30-32页 |
| 3.2.2 外延参数优化 | 第32-37页 |
| 3.2.3 漂移区参数优化 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 带N型浮空岛的新型高压LDMOS设计 | 第41-55页 |
| 4.1 器件结构及原理 | 第41-44页 |
| 4.2 参数优化设计 | 第44-54页 |
| 4.2.1 衬底浓度 | 第45-46页 |
| 4.2.2 浮空岛个数 | 第46-48页 |
| 4.2.3 浮空岛浓度 | 第48-51页 |
| 4.2.4 漂移区长度 | 第51-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论与未来工作 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第63页 |
